请问LED从外延到芯片到封装的详细工艺流程和图列，最佳答案悬赏20分。
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发布时间：2022-05-23 23:39
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时间：2024-03-10 03:01
led磊晶制程：
pss基板---MOCVD---磊晶半成品---量测
中端制程：
1、有机清洗
使用机台：wet bench；氮气*
1. ACE：用有机溶剂去除有机物污染
2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况(通常污染源都是从IPA 来的)。
3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。
4. 吹乾：利用氮气*吹乾晶片。
5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。
2、去光阻
1. ACE：用有机溶剂去除光阻
2. IPA：利用IPA 和ACE 及水都能完全互溶的特性，达到能完全洗净的状况。
3. QDR (Quick DI-water Rinse) ：利用快速的去离子水带走晶片上附著的物质。
4. 吹乾：利用氮气*吹乾晶片。
5. 去水烤(120℃/10min)：防止水气残留影响镀膜品质。
各区简介
3、MESA 段
1. 沉积 ITO
使用机台：ITO 蒸镀机
沉积物：ITO(氧化铟锡)
规格： 3750A(倍强)，2600A(富临)
量测须穿透率达97% 以上，
阻值 10Ω以下
检查重点：是否乾净、是否有水痕或不明残留、小黑点
4、Mesa 黄光
使用机台：Spin coater，oven，aligner
沉积物：正光阻
程序： 上光阻 软烤 曝光 显影检查硬烤
检查重点：切割道是否乾净、图形是否完整、光罩(产品)型号是否正确
5、MESA 蚀刻
使用机台：wet bench
使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)---蚀刻ITO
条件：55℃/ 50sec
程序： 确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查
检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整
6、乾蚀刻
使用机台：ICP
蚀刻深度：12000~18000A(含ITO)
7、去 PR mask
使用机台：wet bench
使用溶液：SF-M15 (LT-420)---去除光阻
硫酸+双氧水---清除有机物
程序： 确认温度及秒数 浸泡 放冷(5min)
ACE+超音波震汤IPA 水洗IPA
热氮吹乾硫酸+双氧水(常温/1min)
水洗 检查
量测：α-step (稜线量测仪)
检查重点：ITO 表面是否有PR 残留、切割道是
否乾净、图形是否完整
8、TCL 蚀刻
使用机台：wet bench
使用溶液：ITO 蚀刻液(盐酸+氯化铁)
---蚀刻ITO
条件：55℃/ 40sec
程序： 确认温度及秒数 蚀刻 水洗 检查去光阻归盤时须区分该过的炉管
检查重点：是否有侧蚀、切割道是否乾净、图形是否完整、是否光阻残留
9、打线测试
使用机台：打线机、拉力计
程序： 打线 拉力 记录拉力克数 推金球
及拉掉金线吹掉金球及金线 检查
检查重点： pad peeling、拉力克数是否足够(须大於
8g)、是否有打不黏的情况
重要： 打线完线头及金线必须完全剔除，用氮气*吹乾净。否则会造成晶片 研磨後厚度不均而整片报废
10、合金
使用机台：炉管
蚀刻深度：330 ℃/10min
后段制程：
制程顺序：
研磨制程：上蜡→研磨→抛光→下蜡→清洗
切/劈制程：贴片→雷射切割→劈裂→翻转→扩张
点测制程：全点/抽点(确认chip光/电特性资料)
分类制程：依照光/电特性
目检制程：挑除外观不良之Chip
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时间：2024-03-10 03:02
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时间：2024-03-10 03:02
先进的最新的知识产权是掌握在一些专业的大公司的。
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时间：2024-03-10 03:03
