本征电离和杂质电离的区别

发布网友发布时间：2022-05-19 03:33

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摘要杂质电离：半导体中杂质原子上的价电子从价键上被激发到导带或者价带中而成为载流子（分别产生电子或者空穴）咨询记录 · 回答于2021-10-28本征电离和杂质电离的区别杂质电离：半导体中杂质原子上的价电子从价键上被激发到导带或者价带中而成为载流子（分别产生电子或者空穴）辛苦了2. 施主杂质和受主杂质与深能级杂质的差异3. 简并半导体和非简并半导体近似的依据是什么？4. 比较同离子效应与杂质陷阱的异同点。本征电离：本征半导体中的载流子，即电子和空穴，即不是由掺杂所产生出来的载流子。也就是说，本征载流子是由热激发——本征激发所产生出来的，即是价电子从价带跃迁到导带而产生出来的；2.浅能级指能量很靠近导带底的电子束缚态，或能量很接近价带顶的空穴束缚态。浅能级中的电子或空穴，在稍高的温度（如室温）就基本上电离而成为在导带中的自由电子和价带中的自由空穴，起导电作用。深能级是指靠近导带的空穴束缚态，或能量很接近价带顶的电子束缚态。　半导体中的深能级所包括的范围十分广阔，可以是单个的杂质原子或缺陷，也可以是杂质和缺陷的络合体。它们往往可以连续接受几个电子，在禁带中形成多重能级，各对应于不同的电荷态。3.半导体发生简并对应一个温度范围：用图解的方法可以求出半导体发生简并时，对应一个温度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，简并温度范围越大。