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单晶炉中单晶硅棒时如何生长的?

发布网友 发布时间:2022-04-27 00:54

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热心网友 时间:2022-06-21 23:56

首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100m 单晶硅生长炉
m左右、直径为3~5mm的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺;这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。 直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的

热心网友 时间:2022-06-21 23:57

单晶生长有很多种方法,常用的为CZ法,即用籽晶在熔融的硅液中逐渐提拉,硅液在籽晶上冷却的时候,按照籽晶的晶体方向排列、生长、长大,晶体生长出来的尺寸与提拉的速度,熔融硅液的温度分布等因素强相关。
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