请问PVD的工艺是 什么?19
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发布时间:2023-09-12 02:33
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时间:2024-12-02 14:54
PVD(物理气相沉积)的工艺包括以下步骤:
1. 靶材准备:选择适当的靶材,通常是金属、合金或陶瓷等材料。靶材制备包括切割成合适的形状(如圆盘、矩形)、抛光以获得光滑表面,并确保靶材的纯度和质量符合要求。
2. 真空环境建立:将靶材和待镀基底放置在真空腔室内,通过真空泵抽空将腔室内部的气体压力降低到所需的真空级别。高真空环境的建立是保证PVD过程的有效进行的关键。
3. 清洁和预处理:在开始沉积之前,通常需要对基底进行清洁和预处理,以去除表面污染物和氧化物,以确保良好的附着力和薄膜质量。预处理方法可以包括机械抛光、溶剂清洗、电子束或离子清洗等。
4. 靶材蒸发或溅射:在真空腔室内,通过加热靶材或施加离子束轰击等方式,将靶材表面的原子或离子释放出来。蒸发时,靶材通过加热使其表面原子蒸发;溅射时,通过离子束轰击或电弧放电等方式将靶材表面的原子或离子剥离。
5. 沉积和成膜:蒸发或溅射的原子或离子以凝结的方式沉积在基底表面上,逐渐形成一层薄膜。沉积过程中要控制参数,如靶材功率、沉积速率、沉积时间和沉积角度,以控制薄膜的厚度、成分和结构。
6. 后处理和测试:在沉积完成后,可能需要进行一些后处理步骤,如退火、抛光或涂层密封等,以提高薄膜性能。还可以对薄膜进行测试和评估,如厚度测量、表面形貌分析、化学成分分析和性能测试等。
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时间:2024-12-02 14:55
PVD,指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以是某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体copy上,使得母体具有更好的性能!
PVD基本方法:真空蒸发、溅射...
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时间:2024-12-02 14:55
PVD(Physical Vapor Deposition),指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以是某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有更好的性能! PVD基本方法:真空蒸发、溅射 、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀)
热心网友
时间:2024-12-02 14:57
1.
PVD简介
PVD是英文Physical
Vapor
Deposition(物理气相沉积)的缩写,是指在真空条件下,采用低电压、大电流的电弧放电技术,利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离,利用电场的加速作用,使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
2.
PVD技术的发展
PVD技术出现于二十世纪七十年代末,制备的薄膜具有高硬度、低摩擦系数、很好的耐磨性和化学稳定性等优点。最初在高速钢刀具领域的成功应用引起了世界各国制造业的高度重视,人们在开发高性能、高可靠性涂层设备的同时,也在硬质合金、陶瓷类刀具中进行了更加深入的涂层应用研究。与CVD工艺相比,PVD工艺处理温度低,在600℃以下时对刀具材料的抗弯强度无影响;薄膜内部应力状态为压应7a686964616fe59b9ee7ad9431333332643266力,更适于对硬质合金精密复杂刀具的涂层;PVD工艺对环境无不利影响,符合现代绿色制造的发展方向。目前PVD涂层技术已普遍应用于硬质合金立铣刀、钻头、阶梯钻、油孔钻、铰刀、丝锥、可转位铣刀片、异形刀具、焊接刀具等的涂层处理。
PVD技术不仅提高了薄膜与刀具基体材料的结合强度,涂层成分也由第一代的TiN发展为TiC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元复合涂层。
3.
星弧涂层的PVD技术
增强型磁控阴极弧:阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用,将靶材表面的电弧加以有效地控制,使材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。
过滤阴极弧:过滤阴极电弧(FCA
)配有高效的电磁过滤系统,可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净,经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%,并且可以过滤掉大颗粒,
因此制备的薄膜非常致密和平整光滑,具有抗腐蚀性能好,与机体的结合力很强。
磁控溅射:在真空环境下,通过电压和磁场的共同作用,以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击,致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同,导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。
离子束DLC:碳氢气体在离子源中被离化成等离子体,在电磁场的共同作用下,离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上,沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压,因而离子能量更大,使得薄膜与基片结合力很好;离子电流更大,使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构,工艺控制精度可达几个埃,并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。