半导体掺杂后的带隙如何看，求教10

发布网友发布时间：2023-09-24 18:04

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热心网友时间：2024-12-12 12:18

半导体掺杂之后会引入杂志能级，以目前主流的半导体Si进行掺杂为例：
Si为4族元素，掺杂3族元素B，B元素电离后作为受主能级存在在半导体之中，形成P型半导体。此时Si元素为杂志提供了电子，则半导体中载流子为空穴。
Si为4族元素，掺杂5族元素P，P元素电离后作为施主能级存在在半导体之中，形成N型半导体。此时Si元素为杂志提供了空穴，则半导体中载流子为电子。

掺杂后引入杂质能级（轻掺杂）：P半导体的受主能级会在Ei 下方，即接近价带顶。N半导体的施主能级会在Ei上方，即接近导带底。Ei为能带中线。
一般来说，掺杂过后Eg（带隙）不会发生较大改变。Eg = Ec-Ev，Ec为导带底、Ev为价带顶。如果可以看态密度图的话，可以将态密度图与能带图相对应，找出能级贡献量较大的离子，如果该能级为Si提供，则可以判断为原能级，如果能级为P、B提供则为引入的杂志能级。

希望能帮到你，谢谢