有关电子与空穴的扩散(PN结)

发布网友发布时间：2023-07-14 02:05

共4个回答

热心网友时间：2023-10-05 02:22

电子受到热激发从价带跃入导带，在价带留下空位
这样是产生空穴-电子对

而当导带的电子运动靠近了空穴时，电子就可能从导带落入价带中的空位，这叫复合
复合消灭空穴-电子对

平衡状态下的半导体是一种动态的平衡状态，空穴-电子对的产生率与复合率一定相等。
所以复合放出的能量，可以再次热激发电子不是又产生空穴-电子对了吗
然后又相遇复合。。。循环
这就叫半导体的热平衡状态。

电子被激发到导带在原来价带不是留下空位了吗，这个空位就是空穴啊

注意：是在说激发电子同时也激发了空穴，
浓度大？既然是PN结
少子是就浓度小的，多子就是浓度大的

在P区还会激发出少子——电子
N区也还会激发出少子——空穴
既然看了书，应该知道除了多子扩散，少子还会漂移，
扩散和漂移也要维持平衡的。。。。
结果就是使得耗尽层的范围的在平衡时候保持一定
所为 “耗尽”就是复合耗掉了空穴和电子，留下了束缚电荷

书上说的还是比较清楚，自己多消化理解下吧。

热心网友时间：2023-10-05 02:22

形成耗尽层的具体的过程首先必须是，P区的空穴和N区的电子由于浓度差而扩散，在结合的部分产生复合，渐渐形成一个势垒，随着复合的增多，这个势垒越来越大，以至于阻碍了空穴和电子的扩散，耗尽区就这样形成的…
相向扩散必然复合嘛

热心网友时间：2023-10-05 02:23

1、复合。
这个耗尽区的形成是一个动态平衡的过程。复合是在不断进行中的。

2、“是部分复合还是大部分复合？”
耗尽区形成前可以理解为部分复合。
当耗尽区形成并稳定后，可以理解为相向扩散的电子和空穴全部复合了。

3、无论禁带多宽，总会有部分活跃的电子跃迁过禁带的。这个问题你深究了吧？如果你是学微电子的，那么以后还有一门课《微电子基础》，那上边讲的太清楚了。

热心网友时间：2023-10-05 02:24

负荷
是用电器
是部分
电子是由（—）到（+）
空穴是由（+）到（—）