场效应管8N60C的参数及代换分别是什么?
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发布时间：2022-04-25 00:14
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时间：2022-07-08 03:13
场效应管8N60C的参数是：10A，600V，可以用SSS7N60B，T2SK2545(2SK3562)，IRFBC40，STP8NK60ZFP进行代换。
场效应管代换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，一般情况下都用同样型号的进行代换，避免其他的问题。
扩展资料
场效应管属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
参考资料来源：百度百科-场效应管
参考资料来源：百度百科-FQPF8N60C
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时间：2022-07-08 04:31
8N60C参数是8A，600V。
代换可用SSS7N60B、T2SK2545、IRFBC40、STP8NK60ZFP、8N6O 8A600V、10N60、8N80、10N60、11N60都可以。
场效应管：
Field Effect Transistor，又称场效应晶体管，是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，[1]它属于电压控制型半导体器件。
场效应管分类：结型场效应管（JFET）和 绝缘栅场效应管（MOS管）
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时间：2022-07-08 06:22
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。这是一个200V34A的场效应管。
场效应晶体管（Field-Effect Transistor ,FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管按结构，可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，故有绝缘栅型之称。或者按其金属-氧化物-半导体的材料构成，可称其为MOS管。
绝缘栅型场效应晶体管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。
在一块掺杂浓度低的P型半导体上，扩散两个高掺杂的N+型半导体区，并引出两个电极，分别称为源极S和漏极D。在两个N+区间的P型半导体氧化一层极薄的SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上制作一层金属铅，引出电极，作为栅极G。
在制造N沟道MOS管时，如果在二氧化硅绝缘层中掺入大量正离子，就会在两个N+型区之间的P型衬底表面形成足够的电场，P型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的电子被吸引到表面，形成一个N型薄层，将两个N+型区即漏极和源极沟通。这个N+型薄层称为N型导电沟道，又因为是在P型衬底中形成的而称为反型层。这种MOS管在制造时导电沟道已经形成，称为耗尽型MOS管。
如果导电沟道不是预先在制造时形成的，而是利用外加栅极-源极电压形成电场产生的，则此类称为增强型MOS管。当UGS>0时，G和S像一个平板电容器的两个极板，SiO2和P型衬底好像电容中的介质，G-S间加正向电压后，其间便形成一个电场，在此电场的作用下，P型衬底中的空穴被排斥到远端，衬底中的电子被吸引到表面，形成一个N型导电沟道，当UGS增大时，感生负电荷Q负增多；当UGS增大到某一数值比如(UGS=UTH)时，Q负足够多，恰好将两个N+区连接连通，这时只要UDS≠0，D-S间就会导通，即ID=0。如果UGS继续增大，ID随之增大；相反，如果UGS减小，ID随之减小。如果在D引线上串入一个电阻RD，则ID就会在RD上产生压降，并随着UGS的变化而变化。显然，这是一个受电压控制的晶体管。
P沟道MOS管是因在N型衬底中生成P型反型层而得名。其结构和工作原理与N沟道MOS管似。只是使用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。
由于MOS管工作时只有一种极性的载流子(N沟道是电子，P沟道是空穴)参与导电，故亦称为单极型晶体管。与双极型晶体管的共发射极接法类似，MOS管采用共源法
当UGS上升时，感生负电荷Q负增多；当UGS增到某个值比如UGS=UTH时，Q负足够多，恰好将两N+区连通，这时只要UDS≠0，D-S间就会导通，即ID≠0。如果UGS增大，ID也就越大。如果在D引线上串一个电阻RD，则ID就会在RD上产生压降，并随着UGS的变化而变化。所以场效应晶体管是电压控制的电流源器件。
MOSFET与BJT都是半导体晶体管，MOSFET的源极、漏极、栅极分别相当于BJT的发射极、集电极、基极。BJT的集电极电流IC受基极电流IB的控制，是一种电流控制器件；而MOSFET的漏极电流ID受栅-源电压UGS的控制，是一种电压控制元件。www.diangon.com但与BJT相比，MOSFET具有输入电阻大、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电少等优点。这些优点使之从20世纪末60年代一诞生就广泛应用于各种电子电路中。另外，MOSFET的制造工艺比较简单，占用芯片面积小，特别适用于制造大规模集成电路。
与BJT类似，MOSFET不仅可以通过UGS控制ID实现对信号的放大作用，而且也可以作为开关元件，通过UGS控制其导通或判断，广泛用于开关电路和脉冲数字电路中。
