半导体是谁发明的
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发布时间：2022-04-25 15:06
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热心网友
时间：2023-08-15 09:49
因此，半导体的发明者包括法拉第和贝克莱尔等科学家，半导体的发明是一个漫长的历程，经历了多个科学家的研究和发现。
热心网友
时间：2023-08-15 09:49
热心网友
时间：2023-08-15 09:50
Pohl，
1884~1976)与赫希(Rudolf
Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。
二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell
Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William
Shockley，
1910~1989)与摩根(Stanley
Morgan)。由于使用场效应(field
effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John
Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface
state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter
Brattain
1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了!但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极
(emitter)，负电压的称为集极
(collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极
(base)，构成第一个点接触电晶体
(point
contact
transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶*作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。
另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管
(junction
transistor)
的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能*电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管
(bipolar
transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。
晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司(Western
Electric)开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA)
与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas
Instruments)开发成功;约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来;在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。
早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司
(Fairchild
Semiconctor)发展出平面工艺技术(planar
technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长
