硅衬底里注入磷离子为什么还能是N型半导体,应该注入原子才对?

在半导体工艺中，通常采用的是离子注入技术，其中磷原子被加速器加速到高速后撞击到硅衬底表面，形成浅层杂质，从而掺杂硅衬底，使其成为n型半导体。虽然在实际过程中磷原子被注入硅衬底，但由于注入的磷原子与硅原子具有相同的化学性质和电子结构，因此磷原子可以在硅晶体中占据硅原子的位置，并成为硅晶体...

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N型半导体。) 同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子,如下图所示: P型半导体中含有较多的空穴,而N型...

回答：太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;大阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。 制作太阳能电池主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用...

P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅,形成P-N结。 当光线照射太阳能电池表面时,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子,使电子发生了越迁,成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差,当外部接通电路时,在该电压的作用下,将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是:光子能量转换成电能的过程...

因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷...

在半导体制造中，离子注入工艺起着关键作用。硅等材料通过掺杂成为半导体，常用在MEMS器件和IC中。掺杂方法分为扩散和离子注入，尽管扩散广泛用于硅衬底，但离子注入也有其独特之处。离子注入的基本过程包括：首先，离子源产生自由电子，经电磁场加速和聚焦，形成离子束。常见的离子源有PH3、AsH3等。离子通过...

低损伤：离子注入的掺杂浓度不受杂质在衬底中的固溶度限制，不会改变化合物半导体材料的组份，且离子注入的横向掺杂效应很小，有利于缩小芯片的面积，降低功耗。低温处理：离子注入过程一般在常温下进行，对离子掩蔽层的要求不苛刻，二氧化硅、光刻胶等都可以作为掩蔽层，避免了高温过程带来的不利影响，如结...

经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结，吉林双晶硅太阳能电池片分类。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十，吉林双晶硅太阳能电池片分类,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳...

如果仅仅是尺度达到纳米,而没有特殊性能的材料,也不能叫纳米材料。过去,人们只注意原子、分子或者宇宙空间,常常忽略这个中间领域,而这个领域实际上大量存在于自然界,只是以前没有认识到这个尺度范围的性能。第一个真正认识到它的性能并引用纳米概念的是日本科学家,他们在20世纪70年代用蒸发法制备超微离子,并通过研究它...

a、在硅晶圆上用热氧化工艺形成牺牲氧化层（作用是在离子注入形成阱时调整离子注入深度）b、在P/N阱区域上方涂光刻胶并用光刻工艺进行曝光，显影，并用离子注入工艺注入n/p杂质，灰化去除不需要的光刻胶 c、除去牺牲氧化膜，将n型和p型阱区退火激活，形成双阱 栅极：① 栅极：先进的数字电路需要...