mos管增强型与耗尽型的区别在哪里?

发布网友发布时间：2022-04-03 22:04

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热心网友时间：2022-04-03 23:34

1、PMOS的值不同。

（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。

（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。

2、原理不同。

最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。

3、控制方法不同。

（1）、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。

（2）、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。

扩展资料：

mos管的工作原理：

（1）、做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管，MOS管有很多种类，也有很多作用，做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

（2）、无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的，MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

（3）、MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

热心网友时间：2022-04-04 00:52

1、原理不同，最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道，而增强型只有在开启后，才出现导电沟道。
2、控制方法是不一样的。耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通，而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行，一般的增强型NMOS，都是正电压控制的。

热心网友时间：2022-04-04 02:26

增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在。也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。通过改变有源区的掺杂浓度，控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料，可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET。