ddr3和ddr4内存条有什么区别？
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发布时间：2022-03-24 20:52
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懂视网
时间：2022-03-25 01:13
DDR3和DDR4的区别有：
1、外观：DDR4内存金手指触点达到了284个，每一个触点间距只有0.85mm(DDR3内存金手指触点是240个，间距1mm)。因为这一改变，DDR4的内存金手指部分也设计成了中间稍突出，边缘收矮的形状，在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置也不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
2、内存频率：频率方面，DDR3内存最高频率只能达到了2133。DDR4内存的起始频率就已经达到了2133，产品的最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
3、内存容量：DDR4内存容量提升明显，可达128GB，上一代DDR3内存，最大单条容量为64GB，实际市面上能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
4、功耗：DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低，上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
5、主板兼容：能兼容DDR4的只有Intel六代CPU对应的100系列主板和AMD新出的支持AM4接口的主板。而DDR3则几乎支持市面上能够买来的所有主板。
热心网友
时间：2022-03-24 22:21
DDR4 模组上的卡槽与 DDR3 模组卡槽的位置不同。两者的卡槽都位于插入侧，但 DDR4 卡槽的位置稍有差异，以便防止将模组安装到不兼容的主板或平台中。
DDR3的工作电压是1.5V，而DDR4是1.2V，并且能源节省高达40%。
DDR3的最高速率为2133MT/s ，DDR4的数据传输率也从2133MT/s起跳，最高速率在2013年的标准中暂定为4266MT/s。
相较于DDR3，DDR4理论上每根DIMM模块能达到512GiB的容量，而DDR3每个DIMM模块的理论最大容量仅128GiB。
在Anandtech的独立测试中， DDR4的性能比DDR3略好，但差距很小。
热心网友
时间：2022-03-25 00:46
DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，目前不少智能手机与电脑都用上了新一代DDR4内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，带来了更低的功耗与更出色的性能。
经历了DDR1、DDR2、DDR3内存，新一代DDR4内存也逐渐开始变得流行，无论是PC还是智能手机，如今DDR4内存可以说早已悄然流行。
DDR4和DDR3内存区别
虽然新一代电脑/智能手机用上了DDR4内存，但以往的产品大多还是用的DDR3内存，因此DDR3依旧是主流，DDR4今后将逐渐取代DDR3，成为新的主流，下面我们再来看看DDR4和DDR3内存都有哪些区别。
相比上一代DDR3，新一代DDR4内存主要有以下几项核心改变：
1.外观改变
DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。
2.DDR4内存频率与带宽提升明显
频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。
综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
热心网友
时间：2022-03-25 03:27
每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持
2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8
核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异二：外型
一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难
以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在*的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证
DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近*。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
DDR4与DDR3内存差异三：参数
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之
多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方
面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更
