内存ddr3和ddr4在实际使用中差别大吗

发布网友发布时间：2022-03-25 04:02

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热心网友时间：2022-03-25 05:31

内存ddr3和ddr4的实际使用差距不大，主要是在内存参数和处理器来体现。

一：内存参数

DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。默认频率DDR4 2133 CL15。DDR4 2133频率下带宽测试：48.4GB/s

从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看，仅默认频率带宽就高达48.4GB/s，可见DDR4对系统性能提升重要性。

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。

二：处理器

每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。

Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。

DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。

DDR是21世纪初主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。截至2017年，DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求，还推出了更高频率的DDR内存。

其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

热心网友时间：2022-03-25 06:49

　　DDR4与DDR3差异一：处理器
　　每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
　　DDR4与DDR3内存差异二：外型
　　大家注意上图，宇瞻DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在*的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近*。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
　　DDR4与DDR3内存差异三：参数
　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。默认频率DDR4 2133 CL15
　　DDR4 2133频率下带宽测试：48.4GB/s
　　从宇瞻32GB DDR4-2133内存来看，仅默认频率带宽就高达48.4GB/s，可见DDR4对系统性能提升重要性。
　　另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。
　　DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。