发布网友 发布时间:2022-04-24 14:19
共3个回答
热心网友 时间:2023-09-18 10:31
当门极电压到达igbt开启电压的时候,igbt开通ic电流开始增加,vce下降,由于米勒电容的存在,此时的门极驱动电压会出现一个平台,如果你的驱动能力不足,这个平台就不是平的,从你的波形看像是这个问题,你可以减小驱动电阻,在推荐值附近就可以了,另一个就是确认下你的电源功率够不够,在驱动侧的电源加些电容也可以试试。希望能帮到你热心网友 时间:2023-09-18 10:32
门极脉冲上升沿增大会导致IGBT开关损耗增大。有两种方法,一种你已经说了,就是减少结电容,对于已经选好的模块,这个已经固定;一种是减少门极驱动电阻,增加充电电流,充电周期时间会减少。对于这两种方法我倾向于第二种,方便,简单。热心网友 时间:2023-09-18 10:32
你到底是关注上升时间还是HIGH/LOW两个状态下的振荡问题?从图上来看,上升时间不过2u左右。如果是驱动充放电问题,那么你改变的只是上升/下降的斜率。对HIGH/LOW状态下的振荡未必有明显作用。