AgCl晶体中肖特基缺陷反应方程式？

发布网友发布时间：2022-04-19 09:45

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热心网友时间：2023-08-26 20:11

基本的缺陷反应方程有如下几种：

①、具有弗兰克尔缺陷（具有等浓度的晶格空位和填隙缺陷）的整比化合物M2+X2-：

②、具有反弗兰克尔缺陷的整比化合物M2+X2-：

③、具有肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-：

④、肖特基缺陷的整比化合物M2+X2-：

⑤、具有结构缺陷的整比化合物M2+X2-：

例如在某些尖晶石型结构的化合物AB2O4中具有这种缺陷，即

⑥、非整比合物M1-yX（阳离子缺位）：

如缺陷反应按上述过程充分进行反应，则有下式成立：

如材料内能导通电流的载流子主要为h·，则这类材料称为P型半导体材料。例如Ni1-yO，Fe1-yO，Co1-yO，Mn1-yO，Cu2-yO，Ti1-yO，V1-yO等在一定条件下均可制成P型半导体材料。

⑦、非整比化合物MX1-y（阴离子缺位）：

如缺陷反应按上述过程充分进行反应，则有下式成立：

如材料内能导通电流的载流子主要为e，则这类材料称为N型半导体材料。例如TiO2-y，ZrO2-y，Nb2O5-y，CeO2-y，WO2-y等在一定条件下均可制成N型半导体材料。

⑧、非整比化合物M1+yX（阳离子间隙）：

如反应按上述过程充分进行，则有如下反应式：

可见，M1+yX在一定条件下可制成N型半导体材料。Zn1+yO在一定条件下可制成半导体气敏材料。

⑨、非整比化合物MX1+y（阴离子间隙）

如反应按上述过程充分进行，则有如下反应式：

可见，MX1+y在一定条件下为P型半导体材料。如TiO1+y，VO1+y，UO2+y等属于此类型。