内存条3代和4代的区别？

发布网友 发布时间：2022-03-28 00:29

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热心网友 时间：2022-03-28 01:58

DDR2时代单条内存2GB，双条4GB，对于办公还是OK的

DDR3的机子单条8/16GB，这种机子可能与DDR4同等寿命，只有应用这种内存的平台彻底淘汰掉，它才会走不动。

所以换代主要是内存频率的提升，速度的提升远远大于容积带来的体验，不过DDR4是DDR系列从SDRAM脱胎以来，变化最大的一次。

在DRAM核心频率不变的情况下，传输速度的提高是通过增加prefetch的位数来做到的。例如同样是100MHz的核心频率，SDRAM一周期取一次，它和内存控制器的速度是100M T/s（这里的T是传输的意思）；DDR上升沿下降沿各取一次，相当于2次prefetch，Bus速度变成200；DDR2变成4n prefetch，Bus speed变成400；DDR3，照此办理，8n带来了800MT/S

4代以前的内存条，低频漏电率降低功耗降低，工艺简单可大规模堆叠是换代的主要改动，这DDR外部总线的带宽可以稳定提升，而成本还没增加，简直两全其美。

但是到了DDR4，这一套就行不通了。因为8N的prefetch 已经到了性能瓶颈。只得从核心频率上下手，不在徘徊于100-266HMz，而是直接从200起，直到400Mhz，因此核心频率得到了应有的提高，总线速度才得以提升。

那么问题来了DDR5什么时候可以商用呢？

热心网友 时间：2022-03-28 03:16

最大的区别不是容量，而是针脚就不同：
ddr3内存针脚为240pin，ddr4内存引脚为284pin
其次ddr4频率更高，容量更大，这个说是区别，到不如是发展需要更高频率更大容量。

热心网友 时间：2022-03-28 04:51

DDR4相比DDR3最大的区别有：
1）处理器：每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
2）频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。
3）　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
4）DDR4内存容量提升明显，可达128GB：上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。
5）DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。

热心网友 时间：2022-03-28 06:42

1、DDR4比DDR3的工作频率更高（频率起点更高），内存带宽更大（数据吞吐能力更强），相应的，内存延迟也更大。
同频率下（例如同为2133MHz）相比，DDR4的性能肯定弱于DDR3，DDR4依靠远高于DDR3的工作频率弥补延迟高的缺点，来获得更强的性能。
2、DDR4内存颗粒的容量比DDR3更大，因此可以获得更大的单条容量。
3、二者匹配的内存控制器不同，防呆缺口位置不同，无法混用。