发布网友 发布时间:2022-04-25 08:11
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热心网友 时间:2023-01-28 09:59
不能一起使用。
由于接口的改变,DDR4内存的金手指触点达到了284个,每一个触点的间距从DDR3内存的1mm缩减到0.85mm(上一代DDR3内存金手指触点则是240个),这就导致DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状,在*的高点和两端的低点以平滑曲线过渡,这种就形成了弯曲效果,并且金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近*。
扩展资料:
DDR3的新型设计:
1、8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
2、采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。
3、采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。
为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to-two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。