MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
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发布时间：2022-04-25 08:02
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时间：2022-07-05 18:40
1、用测电阻法判别结型场效应管的电极：根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
2、用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
3、用感应信号输人法估测场效应管的放大能力：具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差;表针摆动较大，表明管的放大能力大;若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
4、用测电阻法判别无标志的场效应管： 首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
5、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
热心网友
时间：2022-07-05 15:48
用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。
一、先确定MOS管的引脚：
1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；
1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。
2、找到D极后，将万用表调至二极管档；
3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。
二、MOS管好坏的测量：
1、当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个导通压降，一般在0.5 V左右为正常；
2、G脚测量，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；
3、再次把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降，一般在0.3 V左右为正常；
扩展资料
MOS管的主要参数
1、开启电压VT
开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2、 直流输入电阻RGS
即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
这一特性有时以流过栅极的栅流表示
MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3.、漏源击穿电压BVDS
在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；
（2）漏源极间的穿通击穿；
有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。
4、栅源击穿电压BVGS
在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5、低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数
一般在十分之几至几mA/V的范围内
6、导通电阻RON
导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7、极间电容
三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在0.1～1pF之间
8、低频噪声系数NF
噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
热心网友
时间：2022-07-05 17:06
放电方法，短路 DGS三个引脚。
热心网友
时间：2022-07-05 18:58
JFET的测量，根据其D-S极在常态下呈导通状态的特点，用数字表二极管档测到某管的两个脚正、反向二极值相同，即怀疑是JFET，所接的两脚是D、S极；然后红笔接G极，黑笔分别接D、S极，若导通即判断为N沟道JFET；黑笔接G极，红笔分别接D、S极，若导通即为P沟道JFET。
对于MOSFET，常用的是N或P沟道增强型， 耗尽型MOS管很少用？？
NMOS常用作开关电源功率开关管，线性调压管，等；PMOS可用于电子开关，例如控制散热风扇。（NMOS似乎比PMOS更常用，因为NMOS管的导通耗散功率较小？？）
TO-220封装的NMOS或PMOS的中间脚是D极，左边是G极,右边是S极。MOS管通常在D-S极之间内置一个保护二极管。如果测到S-D的二极值为500左右，即为NMOS。
判断MOS管的好坏，根据只要给G极内部的电容充电，D-S极之间即双向导通的特点来判断。首先将MOS管的三个脚短接进行放电，用数字表二极管档，红笔接S极，黑笔接D极，显示数值为500左右，判断这个管为NMOS。然后，黑笔不动，红笔移至G极，给G极内部的电容充正向电压，然后红笔转回来接S极，此时D-S极应双向导通（随着G极内部电容的放电，D-S极间的阻值会逐渐变大）。然后又短接管子的三个脚，调换表笔，红笔接D极，黑笔接S极，显示数值为无穷大；然后红笔接G极，黑笔接S极，给G极内部的电容充正向电压，然后可测得D-S之间双向导通。
补充：一般NMOS的开启电压在2-4V之间，但是注意这个电压仅仅是导电沟道开始形成时的电压，如果要形成比较完整的沟道（即完全导通），电压往往要上升到10V左右才好。所以测量MOS管的好坏，数字万用表的二极管档供电压应为3V，或用机械万用表的R*10K档。
