半导体的掺杂浓度和载流子浓度有什么关系
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发布时间：2022-05-02 04:37
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热心网友
时间：2022-06-28 07:19
热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少
数载流子是相互制约着的.多数载流子主要
来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激
发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大
多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载
流子相互复合的机会增加,将使得少数载流
子浓度减小；当升高温度,少数载流子浓度
将指数式增大,并且它与多数载流子相互复
合的机会也增加,仍然维持着热平衡关系.
在温度不是很高时,增加的本征载流子浓度
将远小于掺杂所提供的多数载流子浓度,因
此对于多数载流子而言,可以认为其浓度基
本上就等于掺杂浓度,与温度的关系不大.
当然,在温度高到使得本征载流子浓度增大
到等于或大于多数载流子浓度时,就变成以
本征载流子导电为主的半导体了,即为本征
半导体,这时掺杂的贡献即可忽略了.
