如何区分二极管的增强型和耗尽型?
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发布时间：2023-12-04 23:47
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时间：2024-12-04 12:42
1.正向偏置二极管：
•在PN结上施加了一个正向电压，即P型半导体端接电源的正极，N型半导体端接电源的负极。
•这种情况下，PN结处的电场减弱，载流子（电子和空穴）更容易穿过结区，形成导通状态，允许电流通过。
•正向偏置二极管可以被看作是“增强型”二极管，因为外加电压增强了导电性能。
2.反向偏置二极管：
•在PN结上施加了一个反向电压，即P型半导体端接电源的负极，N型半导体端接电源的正极。
•这种情况下，PN结处的电场加强，阻碍了载流子穿越结区，使二极管处于截止状态，只有很小的漏电流存在。
•反向偏置二极管可以被看作是“耗尽型”二极管，因为即使在没有外加电压的情况下，也会有一定的电阻性。
对于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），增强型和耗尽型的区别在于它们的导电沟道是如何形成的：
•增强型MOSFET：
•当栅源电压（VGS）为零时，没有导电沟道，因此没有电流流过。
•必须增加栅源电压超过阈值电压（Vth）才能诱导出导电沟道，从而开启器件并让电流流动。
•增强型MOSFET需要外部电压来开启导电通道，类似于正向偏置二极管。
•耗尽型MOSFET：
•即使在栅源电压（VGS）为零时，由于掺杂离子的存在，仍然有一个导电沟道存在。
•栅源电压可以用来增大或减小这个初始存在的导电沟道，从而控制电流大小。
•耗尽型MOSFET不需要外部电压来形成导电通道，只要施加适当的栅源电压就可以调整其导电性，类似于反向偏置二极管。
需要注意的是，这种类比并不完全准确，因为场效应晶体管和二极管的工作原理有显著的不同。不过，从宏观上看，可以通过这种方式理解增强型和耗尽型之间的区别。
