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发布时间：2023-10-29 02:18
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热心网友
时间：2024-10-28 22:55
全晶圆制造过程中为三端双
堆叠隧道结
摘要。一个新的制造工艺为三端超导器件构成的两个约瑟夫森
路口，在一个堆叠配置报道。该过程是基于沉积的整个
*调查科/ alxoy /铌-铝/ alxoy /铌多层在一个硅晶硅片没有任何真空打破。升空
技术，阳极氧化过程和二氧化硅薄膜沉积已通过为图案和绝缘
这两个隧道叠路口。装置的特点是在条款电流电压（四）
曲线和约瑟夫森临界电流与外部应用磁场。他们表明，高品质
因素（ VM的价值观，高达65的MV在4.2 K ）和当前良好的均匀性。
1引言
在最近的过去一些努力，一直致力于向
发展三端超导器件
的基础上堆叠隧道结构由于其transistorlike
行为在低温下。其中，设备
基于低高温超导体似乎是非常有前途
提供高收益[ 1 （ 4 ] 。在特别准粒子
俘获晶体管，基于准粒子捕集
从超导成为一个正常金属在双
隧道结的配置，所提出的牛津大学和
那不勒斯团体[ 5,6 ] ，似乎是非常有吸引力，在
超导领域的电子产品。
在此背景下，自70年3 -终端设备
基于非平衡超导电性有
被提出并实现了。晶体管一样的装置介绍
在参考[ 1 ]构成的两个叠加超导
隧道结，实现了用金属
口罩，由一个影子蒸发技术。无中生有
过程中所需的真空，打破了在不同的步骤，
和使用清漆层分离电极。同样地
一个后果，实现了结构大面积（约
1平方毫米）和他们的素质是强烈的影响，杂质
吸收在接口在真空打破。
不过，这个过程是不是特别适合
大型一体化和电子的混合。
热心网友
时间：2024-10-28 22:56
