模电如何区分场效应管

1.场效应管分为结型(JET)管和绝缘栅型(MOS)管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。2.至于是N沟道还是P沟道就简单了，看箭头指向，箭头方向永远是正指向负，P指向N,箭头朝里的就...

判断管子，关键是要理清楚符号，场效应管有6个不同类型（NJFET、PJFET、增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOS、耗尽型PMOS），符号，特性都不同，这部分只能靠记（多看看熟了也行）。工作状态分析比较麻烦，要计算UDS，UGS，UDG的值，然后分析，具体数值关系看一下童诗白的《模拟电子技术基础》第四版。

通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。所以，要实现这点，结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果，导致了其特性曲线不同。...

首先，看符号里的箭头是朝外还是朝里，只要记住永远是正指向负，p指向n就能判断出，箭头朝外是p沟道，朝里是n沟道。

形成了所谓耗尽区。当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小。反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。

与N沟道结型场效应管的区别：N沟道耗尽型 MOSFET 是以 P型硅片作衬底的，而另外一个刚好相反，这也导致了加在 MOSFET 上的 [公式] 是正的， 但加在 JFET 上的是负的 特点与原理：1.当[公式] 越大时，耗尽层越厚，当耗尽层厚到一定程度时，会形成一个通道这个通道可以允许电流 [公式] 通过...

华成英老师的模电视频中,讲场效应管的大概是哪几集?  我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 浏览3 次 可选中1个或多个下面的关键词,搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。 华成英 模电 场效应管 老师 视频 搜索资料 本地图片 图片链接 提交回答 匿名 回答...

N结型场效应管工作在放大区的必要条件：GS两端的电压小于0，DS端电压大于0（P型则GS端电压大于0，DS端电压小于0）N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为：GS端电压大于0，DS端电压大于0（P型相反）

BC 不能应该没有异议,因为这两个管子是增强型的NMOSFET，要导通需要一个高于Ugs(th)的正向电压，现在这个是不满足的。D也无异议，这个是P沟道 JFET管，UGS（off）是一个正数，现在的这个电路有可能。最麻烦的是A，这个是N沟道JFET，JFET在正常条件下就存在沟道，可以通过电流，当加入VDD的时候，沟道...

这三个都是场效应管的参数，它的三个极分别为g,d,s，相当与三极管的b,c,e，UGS(th)相当于三极管的Ube(on),为开启电压，你的g,s,e是什么参数