发布网友 发布时间:2022-04-30 08:11
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热心网友 时间:2023-10-21 15:17
一定条件下,导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化而变化的现象称为磁阻效应。当半导体处于磁场中时,它的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍耳电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应。如果将图1中a端和b端短路,磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小,即用 Δρ/ρ(0)表示,其中ρ(0)为零磁场时的电阻率,Δρ=ρ(B)-ρ(0)。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0),这里ΔR=R(B)-R(0)。因此,也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小。