碳化硅半导体器件随反向电场增加,载流子达到饱和漂移速度,为什么还会雪崩...
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发布时间:2024-07-13 00:53
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热心网友
时间:2024-08-01 23:35
反向电场加大后,载流子动能加大,击穿了半导体的共价键,原本形成共价键的电子获得自由,这是击穿的原因之一.
原因之二,随着电场的加大,参杂物质向pn结的另一端运动,位移过大取代了另一个极性的掺杂物或原子,无法复位,使得pn结两端的参杂物互相污染,破坏了半导体的极性,表现出击穿效果.
而稳压管之所以击穿后能还能正常工作,在于载流子能够复位,如果不能复位,稳压管就损坏了.
个人看法,仅供参考.