抛光CMP抛光 化学机械抛光
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发布时间：2024-07-02 22:24
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时间：2024-10-12 14:14
CMP，全称为Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光，是一项关键技术。它的核心设备和耗材包括抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测与工艺控制设备以及废物处理和检测设备等。
这项技术源于1965年，Monsanto首次提出，起初是为获得高质量的玻璃表面，如军事望远镜等精密器件。随着科技的进步，1988年，IBM将CMP技术应用于4MDRAM的生产，而真正将其推向全球广泛关注是在1991年，IBM成功将CMP应用于64MDRAM的制造，自此，CMP技术在全球范围内迅速发展起来。
与传统的机械或化学抛光方法相比，CMP的独特之处在于它结合了化学和机械的双重作用。它巧妙地避免了单纯机械抛光可能导致的表面损伤，同时也解决了化学抛光速度慢、表面平整度差以及抛光一致性不高的问题。CMP运用了磨损中的“软磨硬”原理，即使用相对较软的材料进行抛光，以实现极高的表面抛光质量。
特别值得一提的是，CMP抛光液，它以高纯硅粉为原料，经过特殊工艺处理，制成高纯度、低金属离子的抛光产品，广泛应用于各种材料的纳米级高平坦化抛光过程中，对于精密电子器件制造具有重要意义。
扩展资料
抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。
