栅极简介

一、真空电子管栅(shan)极（grid）多极电子管中包裹着阴极的螺旋状电极。用金属丝制成细丝网或螺旋线的形状，用于控制板极电流的强度，或改变电子管的性能。二、场效应管栅极（gate）场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用...

总的来说，栅极在电子管和场效应管中都是通过电压来调节电流，是实现电子设备高效、精确控制的关键组件。它的设计和性能直接影响到整个电子设备的性能表现。

1.3 增强型和耗尽型 在前面介绍的MOS管中，不给栅极和源极之间外加电压时，由于没有形成导电沟道，MOS管表现为不导通状态。以N-MOS为例，如果生产时，在栅极绝缘层中加入正离子，那么由于正离子的作用，即使没有外部电压，MOS管内部仍会形成导电沟道，使MOS管导通，如下图所示。1.4 电路符号 根据...

它是一种电子器件，用于控制和放大电流。 MOSFET的基本工作原理如下：MOSFET是由硅晶体制成的晶体管。它有一个沟道，两个掺杂的P型或N型半导体区域和一个上面覆盖着非导电的氧化层的金属栅极。MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时（也称为门限电压），栅极不能...

什么是MOSFET，MOSFET介绍 MOSFET： 金属-氧化物半导体场效应电晶体，简称金氧半场效电晶体（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效电晶体（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与...

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（...

电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后的不同参数信号数据。电子管的阳极 阳极是收集阴极发射出来的大部分...

当在栅极和发射极之间施加驱动正电压时，MOSFET导通，使得PNP晶体管的集电极与基极之间形成低阻状态，晶体管因此导通。相反，当栅极和发射极之间的电压为0V时，MOSFET截止，切断了PNP晶体管基极电流的供给，晶体管也相应截止。IGBT与MOSFET一样，是电压控制型器件，在栅极-发射极间施加十几V的直流电压时，...

1 IGBT 门极驱动要求1.1 栅极驱动电压因 IGBT 栅极 - 发射极阻抗大，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动，但 IGBT 的输入电容较 MOSFET 大，所以 IGBT 的驱动偏压应比 MOSFET 驱动所需偏压强。图 1 是一个典型的例子。在 +20 ℃情况下，实测 60 A ， 1200 V 以下的 IGBT 开通电压阀值为 5 ...

在器件的控制模式上，从电流型控制模式发展到电压型控制模式，不仅大大降低了门极（栅极）的控制功率，而且大大提高了器件导通与关断的转换速度，从而使器件的工作频率由工频→中频→高频不断提高。变流技术发展到今天，其应用范围大致分为5个方面。（1）整流：实现AC/DC变换；（2）逆变：实现DC/AC变换...