为什么intel的7nm工艺的处理器没有像amd的那样积热那么严重?
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发布时间：2024-05-04 14:24
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时间：2024-10-05 16:31
为何Intel的7nm工艺处理器相较于AMD并未显现严重积热问题？Intel所谓的7nm工艺实际上被称为Intel 7工艺，它是基于原10nm技术的改进，而非真正的7纳米规格，真正的7nm处理器还未大规模生产，Intel已将其命名为Intel 4。
积热问题的核心在于热量的有效传递。以AMD的Zen 2代为例，有人在研究中发现，即使在相同功耗下，Intel CPU的散热性能明显不如AMD的3700X，从散热塔测温设备的数据来看，Intel的CPU热量传递存在瓶颈。风冷散热器依赖于大面积散热，鳍片和热管共同作用，如果底部导热效率不佳，鳍片接收的热量减少，散热效果就会大打折扣。
封装技术是影响散热的关键因素之一。Zen 4的封装方式被指落后于其技术进步，若能实现核心与散热器直接接触，可以显著降低温度，这表明当前封装技术需要改进以适应新一代处理器。过去的Intel通过更换封装材料，如液金，也能提升散热效率。
散热压力与CPU核心的Die面积密切相关。Die面积越大，散热性能越好。以11600K和10600KF的对比实验为例，即使是相同的散热器，在相同的室温和负载下，Die面积更大的11600K温度表现明显优于10600KF，这说明Die面积的差异在散热上起了决定性作用。
AMD的Ryzen系列自Zen 2开始，非APU版本的IO Die也占据了一席之地。核心Die的面积与散热压力紧密相连，根据1cm²对应150W的散热压力指标，我们可以看到不同处理器的散热需求。例如，Intel的13900K，尽管单烤FPU时功耗高达310W，但AMD的一些单CCD产品如R7 5800X，尽管全核功耗相对较低，但其散热压力仍然不容小觑。
尽管如此，散热压力并不是评判积热的唯一标准，因为散热器性能本身有上限，而且不同处理器之间的比较更有参考价值。在Intel阵营，如13900K，积热问题更多地表现为功耗过高而非积热本身。解决积热的关键在于降低功耗、优化封装和增加CCD面积。对于普通用户来说，通过调整频率和电压可以降低功耗，而增加CCD面积则需要制造商的技术突破和成本投入。
总的来说，Intel的处理器在积热问题上并未如AMD那样明显，这背后既有技术进步的差异，也有散热策略和设计上的考量。随着技术的持续发展，未来处理器的散热表现有望进一步提升。
为什么intel的7nm工艺的处理器没有像amd的那样积热那么严重?
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