明年内存闪存价格反弹,新一代存储芯片能否抓住良机?
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发布时间：2024-05-28 18:43
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时间：2024-06-24 04:46
内存闪存价格反弹的趋势预计在2020年显现，新一代存储芯片的登场或带来转折点。
尽管NAND闪存和DRAM内存的市场价格已跌至历史低位，16GB内存现价仅需600多元，甚至低于一年前单条8GB的价格，而SSD硬盘跌幅更为显著，1TB容量仅售700多元，M.2版本价格也相对亲民。然而，这种价格下滑也伴随着技术挑战，制程微缩的难题使得提升性能和降低成本变得愈发艰难。
面对这一困境，Intel、三星、美光等巨头正在积极研发新一代存储芯片，如3D XPoint、MRAM、PRAM和RRAM等，这些技术不仅具有非易失性，性能远超传统NAND闪存，更接近RAM与ROM的界限，为用户带来重启后数据仍保留在内存的神奇体验。
然而，新一代存储芯片的挑战在于其理论性能虽然高，但实际容量小、制造工艺不成熟，取代现有的内存和闪存还需时日。例如，Intel的Optane傲腾内存提供了128GB、256GB和512GB的容量，兼容DDR4接口，但其规模化和标准化还有待时间。
根据集邦咨询的报告，由于新一代存储器的高昂成本，目前主要应用于数据中心等特定领域，而大规模定制化设计为不同存储器配置提供了可能。然而，DRAMeXchange的看法有所不同，他们认为内存和闪存价格的反弹将在明年发生，这可能是新一代存储芯片进入市场的一个重要时机。
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