明年内存闪存价格反弹,新一代存储芯片是否会迎来发展良机?
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发布时间：2024-05-28 18:43
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时间：2024-06-01 17:52
内存闪存价格反弹在即：2020年新存储芯片市场曙光
在过去，NAND闪存和DRAM内存的价格曾高不可攀，但现在，16GB内存只需600多元，甚至低于一年前8GB内存的价格，SSD硬盘的跌势更为明显，1TB容量仅售700多元。然而，随着价格的下滑，存储芯片的制程微缩难题逐渐显现，性能提升和成本降低的挑战加剧。
面对这一挑战，Intel、三星、美光等巨头正在研发新一代存储芯片，如3D XPoint、MRAM、PRAM和RRAM，这些技术在非易失性、性能上超越了传统内存和闪存。它们能够保持数据在断电后仍能保存，且重启电脑时能保持之前的状态，极大地提升了用户体验。
然而，这些新型存储芯片尽管理论上性能强大，但目前的容量小、工艺不标准化限制了其广泛应用。Intel的Optane傲腾内存是个相对成熟的例子，提供了128GB至512GB的容量，兼容DDR4，但容量和成本仍是其面临的挑战。
根据DRAMeXchange的研究，新一代存储器虽有优势，但因其规模化和标准化程度不足，成本较高，主要应用于数据中心等定制化需求强烈的领域。但值得注意的是，DRAMeXchange预测，随着内存和闪存价格在2020年可能反弹，这可能是新一代存储芯片市场进入的转折点。
总结来说，尽管价格波动和技术成熟度是关键因素，内存闪存价格的反弹预示着新一代存储芯片将迎来一个潜在的市场机遇期。
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