什么是倒掺杂?,听说可以防止LATCH UP?

发布网友发布时间：2022-04-13 13:11

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热心网友时间：2022-04-13 14:40

先植入再阱驱工艺形成的well，表面离子浓度最高，浓度随深度减小。所谓倒掺杂阱，是指先高能量大剂量植入离子到所需的深度，再低能量小剂量植入离子。不需长时间高温驱入，离子浓度最高的地方不是在表面。横向扩散比较小。不知道我说的对不对!Retrograded well，倒阱，用高能离子注入将杂质打入阱底部，这种阱不像常规的阱表面浓度最高，阱底部浓度最低，而是正相反，所以叫做倒阱。下面的浓度很大，那么电子或电洞到了基极以后，高浓深井可以有效的增加复合，就不想到集极去了，降低bipolar的放大系数，使没有backbias偏置的晶体管免于latch-up。Latchup 就是闩锁效应. 由PNPN结构产生寄生的PNP管与NPN管, 这两个寄生管连在一起, 相互放大, 最后电流变得很大, 短时间产生很大得电流, 局部过热,烧毁器件. 具体分析比较复杂, 可以找专门得书看.Retrograded well，倒阱，用高能离子注入将杂质打入阱底部，这种阱不像常规的阱表面浓度最高，阱底部浓度最低，而是正相反，所以叫做倒阱。这位老大解释的很好, 赞一个!学到东西了，不错哈！这个解释不错画出寄生PNPN结构的时候就可以看到在两个管子的BE结上分别并联了Rwell和Rsub倒掺杂就是把sub的电阻大幅降低了，从而避免Vdd到Vss之间由于某些原因产生流过上面两个电阻的电流时产生的压降减小，从而避免BE结正偏，pnpn管子开启非常好的解释，是cmos无法避免的问题，即nmos与旁边的pmos形成了PNPN结构好，学习了，不错的讨论