SiO2和Si3N4绝缘性能比较

发布网友发布时间：2022-05-05 13:00

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热心网友时间：2022-06-27 13:02

sio2是原子晶体，是玻璃的主要成分.二氧化硅不能与水直接化合成为酸，能跟碱性氧化物或者强碱溶液或熔融状态下反应，常与naoh生成硅酸钠。sio2+naoh=na2sio3+h2o
sio2化学性质较为稳定。sio2还能与hf(氢氟酸）反应
sio2+4hf=sif4+2h2o
si3n4及活性炭黑为原料，按照两者质量比为31制成试样。在埋炭条件下，将试样分别在1480
℃、1500
℃、1550
℃和1600
℃保温3
h热处理。利用sem、eds及xrd等检测方法，结合热力学分析，研究了高温状态下β?si3n4在含碳耐火材料中的稳定性以及作为过渡相向碳化硅的转化。结果表明：在该试验条件下，β?si3n4在含碳材料中将作为过渡相向sic转化，明显的转化温度＞1500
℃，1600
℃仍存在较多未转化的氮化硅；氮化硅颗粒与炭黑的反应主要从接触面开始，然后向内逐步推进；β?si3n4的粒度对其转化率影响较大。
sio2当达到1873k时熔化也就是1599.85℃
si3n4当达到1000℃时熔化。

热心网友时间：2022-06-27 13:03

禁带宽度SiO2:8.9eV,
Si3N4:5.1eV。
介电常数SiO2:3.9,
Si3N4:7.0
传统工艺一般采用SiO2做阻挡层，但当其厚度减小时，漏电流增大，并出现杂质扩散现象，影响器件性能。
在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高，实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级，但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性。建议试用SiNxOy.
补充解释：这可能是与薄膜质量有关，生长Si3N4薄膜的时候，生长条件对薄膜质量影响很大，可以调整工艺试试。如果实验数据SiO2绝缘性能好，那也可以选用SiO2，一切应以实验数据为准。