金属-半导体接触中,什么是整流特性?
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发布时间：2024-04-04 18:47
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热心网友
时间：2024-04-04 21:58
很早学的，快忘了都。
大概就是金属（Metal）和半导体（Semiconductor）接触（MS接触）的时候，两边电势不同，可以分为4种情况。
先简单说明下别的：功函数，就是E0（电子能量）和Ef（费米能级）能量只差，就是电子在介质内部逸出到介质之外需要的能量。
记金属功函数为Wm=E0-(Ef)m，半导体功函数为Ws=E0-(Ef)s
所谓的4种情况就是
n型半导体：Wm>Ws;Wm<Ws
p型半导体：Wm>Ws;Wm<Ws
当金属和半导体接触时，由于电子系统统一，两边费米能级持平。
以n型半导体，Wm>Ws这种情况为例：
因为Wm>Ws，所以(Ef)m<(Ef)s，即电子容易从半导体流向金属，使半导体表面带正电，金属表面带负电。接触的时候产生了电势差Vd=Vm-Vs=(Ws-Wm)/q。
简单来说，金属-半导体功函数差导致了它们在接触后界面的电势差，由于这个电势差的存在，一般的MS结会具有特定方向的整流特性（例如金属和n型半导体结，导通电流只能从金属流向半导体）；而更重要的是，对于重参杂半导体，由于势垒区宽度变得很薄，会有隧道效应，结果就是刚才说的整流特性失效，这种接触称为欧姆接触。
这里一般ms结的整流特性和欧姆接触结的特性对集成电路制造有着极为重要的意义。
呃。。不知道明白了没有啊~~
