杀死NAND Flash,替代DRAM;3D Xpoint有这个能力吗
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发布时间：2022-05-03 06:35
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热心网友
时间：2023-10-12 23:58
3DNAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会。传统的2DNAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3DXpoint则和3DNAND完全不同，NAND是基于floatinggate/charge-trapgateMOS技术，而xpoint则是基于phasechangematerial。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而xpoint是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，xpoint会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yieldlost问题，会改变以后存储世界的格局。
热心网友
时间：2023-10-12 23:58
3DNAND是相对于原先的NAND在工艺上的提升，可以理解为把原先平面的存储单元构建为立体的，这样一片晶元上存储的cell会。传统的2DNAND工艺到16nm就已经饱和了，而3D通过增加纵轴的叠层数目可以继续演进三代左右（现有的技术一般是32层或48层，个人预测未来终结产品会发展到128层）。同一片晶元上存储单元越多即意味着每个bit的成本更低。而3DXpoint则和3DNAND完全不同，NAND是基于floatinggate/charge-trapgateMOS技术，而xpoint则是基于phasechangematerial。通俗的说，NAND是通过晶体管上充放电来存储数据，而xpoint是通过材料是熔化或凝固状态来存储数据。从性能上而言，xpoint会远远超过NAND，这可是Micron和Intel合伙憋了很多年的大杀器，如果能很快的解决现在yieldlost问题，会改变以后存储世界的格局。
