传统光电行业包含哪三大方向?
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发布时间：2022-04-24 01:26
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时间：2022-07-18 18:16
据统计，2016年仅LED光电产业产值就达5260多亿元人民币，较2015年增长22.8%。中国*LED产业的从业人员已达数十万人。包括原材料、外延、芯片、封装、应用和配套、设备仪器仪表等环节，已形成较为完善的产业链。*目前已经成为全球LED元件产业发展最迅速的地区，特别是家用照明的中功率LED发展迅猛。随着LED元件在照明应用逐步提高，自主掌握的LED元件的供应链也大幅度提高，*已经从传统照明成功转型至LED照明灯具制造，具有了全球竞争能力。
2016年LED通用照明仍然是应用市场的第一驱动力，通用照明市场产值达2040亿元，占整体应用市场的比重由2015年的45%，提升到2016的47.6%。LED显示应用由于小间距LED显示技术的快速崛起，规模约548亿元，占整体应用市场12.8%。汽车照明方面，随着奔驰、宝马等高端车型前大灯越来越多的采用LED灯具，2016年LED汽车照明高速增长，同比增长33.8%，占整体应用市场1.4%。
与此同时，我国LED的核心技术也在不断取得突破。随着我国LED产业的发展，特别是近年来我国技术创新的强力推动，我国LED产业关键技术与国际水平差距进一步缩小，已经成为全球LED最大的生产、出口和应用大国。
光伏产业
中国*已经连续多年成为全球太阳能电池生产第一大国，光伏产业开始走上了自主研发新技术的道路，并且颇有成效。高效多晶硅电池平均转换效率、单晶硅电池平均转换效率以及汉能薄膜发电技术均已达到国际领先水平。经德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究院认证，我国其铜铟镓硒组件最高转化率达到21%;砷化镓组件获得美国国家可再生能源实验室认证，最高转化率达到30.8%，皆创世界最高纪录。骨干企业多晶硅生产综合成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100KWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触(PERC)、异质结(HIT)、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展;光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件生产成本降至2.8元/瓦，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。
截至2016年底，光伏制造业总产值超过3360亿元，光伏发电装机容量突破34GW。多晶硅产量约为19.4万吨，占全球总产量的33%;2015年，硅片产量约为68亿片，电池片产量约为28GW，占全球总产量的60%，保持了全球太阳能电池生产第一大国的地位。光伏发电作为使用区域*少、设备相对简单易安装的发电方式，近年来在我国得到了快速发展。根据国家能源局的统计数据，截至2015年，我国光伏总装机量达到了43.18GW，新增装机容量15.18GW，成为全球光伏发电装机容量最大的国家。在我国当前光伏装机总量中，光伏电站装机37.12GW，分布式电站装机6.06GW，年发电392亿千瓦时，占全国发电量的0.7%。
为了改善光伏产品严重依赖出口市场的情况，*制定了系列*，加大扶持力度，大力推动内需市场建设，国内光伏装机仍有望表现强劲。随着我国西北部地区地面电站的逐渐饱和，以及光伏平价上网的条件达成，未来国内分布式光伏将迎来发展*阶段，配合储能技术的成熟，东部及南部地区将兴起建分布式电站的热潮。
随着传统能源成本不断提高，光伏产业链各个环节的技术不断进步、成本持续下降,太阳能光伏将在2030年成为主流能源之一。相信在倡导节能减排、低碳经济的大背景下，*太阳能光伏产业一定会迎来更绚丽的明天。
基础光电
*的激光、红外、纳米技术也获得了重大发展，取得了许多具有国际先进水平的科研成果。中国是制造业大国，特别是大机器制造、汽车、半导体和电子设备产业的发展将为激光产业提供极大的市场潜力。
从光电行业内部的发展来看，之前相对独立发展的各个技术方向，有逐步融合的趋势，如：红外夜视与光学监控镜头结合，在民用的安防、检测等方面已经在大规模使用;液晶面板及LED器件的制作过程中，激光加工设备占据越来越重要的位置;显示不再是液晶一家独大、LED显示、激光显示、光学全息三维显示等技术正在向一个方向融合;半导体照明也不再单指LED照明，未来将会有半导体激光照明;光学传感、光学成像、光电检测几乎贯穿了光电行业所有研发和制造过程。这些发展趋势使得光电行业更像是一个整体，相互间的跨界融合碰撞出更多的火花，推动了技术的进步，也产生了更有创意和实用性的光电产品。
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时间：2022-07-18 19:34
GaN除了快充细分领域，在微波射频、电力电子和光电子等领域同样有其用武之地。就像2017年iPhone的3D传感应用带动了上游垂直腔面发射激光器(VCSEL)的快速发展，如今快充市场的普及，是否会推动GaN材料的产业化进程？
那就跟随我们，一起来了解下GaN及其产业情况吧。
GaN是什么？
首先，让我们从他的名称开始了解。GaN是一种新型的半导体材料，中文名为GaN，英文名为 Gallium nitride，简称GaN。
它是氮和镓的化合物，从性质上来说，它是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。早在1990年，GaN就被经常用于发光二极管中。不过当时因为制作工艺难度高，所以并没有被推广使用。除了是一种直接能隙（Direct Bandgap）的半导体，它也是一种宽禁带半导体材料。在半导体材料中，与碳化硅（SiC）同被称为“第三代半导体材料”。
小知识
1
第一代半导体材料：主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。
2
第二代半导体材料：主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
3
第三代半导体材料：主要以碳化硅（SiC）氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
GaN有哪些优势？
与半导体材料中第一代的Si以及第二代的GaAs等相比，GaN功率器件的性能具有明显优势。
01
转换效率高
与硅这种材料进行比较，GaN的禁带宽度是其三倍，禁带宽度大（3.4 eV），热导率高（1.3 W/cm-K），因此工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。
这就意味着GaN可以承受更高的电压，有更好的导电能力。因此，在相同体积下，GaN比硅的效率高出不少。如果GaN替换现在所有电子设备，可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。
02
工作频率高
同样是与硅器件相比，GaN的工作频率比硅高20倍左右。以数据来看的话，GaN可以工作在高频段，这就使得整个电路的开关工作频率从原来的50-60 kHz，提高到200-500 kHz及以上。开关频率是指充电头内部晶闸管,可控硅等电子元件,每秒可以完全导通、断开的次数。开关频率高可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电头的体积和重量。
03
工艺兼容性强
GaN器件是平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，因此更容易与其他半导体器件集成。有厂商已经实现了驱动IC和GaN开关管的集成，进一步降低用户的使用门槛。
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时间：2022-07-18 21:09
（1） 光电材料与组件
（2） 光电显示器
（3） 光学组件与器材
（4） 光输入
（5） 光储存
（6） 光纤通讯
（7） 激光及其它光电应用
