离子参杂是属于配体工程嘛
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发布时间：2023-05-20 05:26
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热心网友
时间：2024-11-17 20:40
(2)易于控制杂质的浓度分布。适当控制注入剂量和能量．可能得到理论设计中所要求的理想杂质分布。
(3)可控性好。掺杂浓度、结深和杂质分布都能技预定的要求通过调节注入离子的束流、能量和注入时间得到精确控制。
(4)侧向扩散小。在热扩散中，窗口边缘处的横向扩展范围基本上等于纵向扩散深度。在离子注入时，只有当离子质量较轻或入射能员较高时，才有比较明显的侧向扩散，一般悄况下。横向扩展与纵向深度相比是很小的、常常可以忽略，这对提高IC集成密度十分重要。
(5)具有“直接写入”功能，可以不要掩模。低温掺杂和“直接写入”是离子注入技术与激光掺杂技术所共有的优势。与激光掺杂技术相比，离子注入掺杂技术还存在一定的缺点。离子注入掺杂的最大缺点是离子注入时会在晶体内产生大量的晶格缺陷，虽然这些缺陷的大部分可以通过退火来消除，但残留的二次缺陷和晶格畸变往往会给器件的电特性带来很坏的影响。此外，离子注入设备庞大、复杂、价格高昂，这也在一定程度上绍其应用带来*或困难。
热心网友
时间：2024-11-17 20:41
离子注入需要有适用的离子注入设备。半导体掺杂用离子注入机的能量范围为20～400千电子伏。硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下,束流强度为几十至几百微安。离子注入机有先分析后加速和先加速后分析两种型式。在先分析后加速的结构中，离子源和磁分析器（分析磁铁）处于高电位,靶室处于地电位（图1）。离子源是离子注入机最重要的部件之一。微电子技术中常用的离子源电离物质为三氟化硼、磷烷和砷烷等。一般情况下，离子源提供的是单电荷离子。磁分析器起着提纯的作用,能将不需要的离子偏离掉,而只让所需的离子通过，经加速扫描后达到注入靶上。为了减小束流的传输损失，离子注入机通常采用单透镜和四极透镜进行离子束聚焦。此外，离子注入机尚需清洁的真空条件（无油污,整机真空度为1×10-4帕,靶室真空度为10-5帕）以及可靠而稳定的电源和控制系统等。 与热扩散掺杂相比,离子注入掺杂的优点是:①离子注入可通过调节注入离子的能量和数量，精确控制掺杂的深度和浓度。特别是，当需要浅PN结和特殊形状的杂质浓度分布时，离子注入掺杂可保证其精确度和重复性。②离子注入的杂质分布准直性好(即横向扩展小)，有利于获得精确的浅条掺杂，可提高电路的集成度和成品率。③离子注入可实现大面积均匀掺杂并有高的浓度。④离子注入不受化学结合力、扩散系数和固溶度等的*，能在任意所需的温度下进行掺杂。⑤离子注入可达到高纯度掺杂的要求，避免有害物质进入半导体材料，因而可以提高半导体器件的性能。离子注入掺杂正在替代热扩散掺杂，成为大规模和超大规模集成电路中的一项重要掺杂技术
