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硅的电导率为什么会受温度影响

发布网友 发布时间:2023-05-26 09:08

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热心网友 时间:2024-12-05 03:28

首先要明白硅是半导体,这点跟金属的性质是不同的。

半导体的导电主要依赖载流子,也就是电子(electrons) 和空穴 (holes)。相反,在金属中,电子不受束缚,可以自由流动,金属的导电主要依赖自由电子。
从能带理论中,半导体存在价带和导带。电子最初是被束缚在价带的共价键中,在绝对零度下,电子是不能运动的。随着温度升高,共价键逐渐断裂,电子脱离束缚,跃迁到导带中,相应地在原来的位置形成一个空位(holes),载流子浓度因此升高。
在外部电场的作用下,电子迁移,填补到旁边的空位中,这个过程,会产生新的空位。由于在电场中,由于电荷相反,电子的移动方向和空位的移动方向是相反的,在半导体中,空位和电子共同形成电流。
电流的密度(J)可以有电子的电流密度(Je)和空穴的电流密度(Je)相加。

其中pµh+nµe 是半导体的电导率,E是电场。n和p分别是电子和空穴的浓度,v是迁移速度,µ是迁移率。
载流子浓度随温度的变化有以下公式表示:

计算可以发现,单位摄氏度下,硅的电导率可以升高8%。因此硅也可以用来做热阻器,测量温度。计算可以发现,单位摄氏度下,硅的电导率可以升高8%。因此硅也可以用来做热阻器,测量温度。
温度过高,电导率下降,温度高了载流子浓度也高了,1600度时都快熔化了,,载流子已经充分激发了, 这时电阻率和温度的关系就和金属类似了。

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