数码相机上的CCD和CMOS是什么意思,又有什么区别
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发布时间：2022-04-01 12:36
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懂视网
时间：2022-04-01 16:57
相机cmos是指互补式金氧半元件及制程。
目前数码相机的核心成像部件有两种：一种是广泛使用的CCD（电荷藕合）元件；另一种是CMOS（互补金属氧化物导体）器件。电荷藕合器件图像传感器CCD（harge Coupled Device），它使用一种高感光度的半导体材料制成，能把光线转变成电荷，通过模数转换器芯片转换成数字信号，数字信号经过压缩以后由相机内部的闪速存储器或内置硬盘卡保存，因而可以轻而易举地把数据传输给计算机，并借助于计算机的处理手段，根据需要和想象来修改图像。
互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅做成的半导体，使其在CMOS上共存着N和P的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。CMOS的缺点就是较容易出现杂点， 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。
热心网友
时间：2022-04-01 14:05
数码相机上的CCD是“电荷耦合器件”，是将光信号转换为电信号的一种图像传感器 。
数码相机上的CMOS是“互补金属氧化物半导体”，是数码相机中常用的图像传感器。
CCD与CMDS在信号类别、成像规则、感光度等方面都有不同，具体的区别如下：
1、信号类别不同
CCD：模拟信号
CMOS：数字信号
2、成像规则不同
CCD：线成像
CMOS：点成像
3、感光度不同
CCD：0.1-3LUX
CMOS：6-15LUX
4、信息读取方式不同
CCD：CCD电荷耦合器存储的电荷信息，需在同步信号控制下一位一位地实施转移后读取，电荷信息转移和读取输出需要有时钟控制电路和三组不同的电源相配合
CMOS：CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流（或电压）信号，信号读取十分简单。
参考资料来源：百度百科-CMOS传感器
参考资料来源：百度百科-CCD传感器
热心网友
时间：2022-04-01 15:23
两者都是感光元件，数码相机的核心，本质上是个成像元件，你可以理解为传统相机中的胶片。
CCD的技术比较传统，CMOS是新技术，就像所有新技术和老技术的区别一样。传统技术具有稳定性好发展成熟的特点，新技术具有节能效率高等特点。一般来讲，消费数码相机使用CCD，专业单反用的是CMOS，（根据厂商定位不同也会有不同的选择，不能一概而论），而更加专业的大中画幅数码后背多使用CCD。从中你或许能体会到两者之间的微妙关系，消费相机多使用CCD是因为成本低，专业相机使用CMOS是为了最求高效率。哈苏等中画幅相机使用CCD是因为COMS的技术还没发展到可以满足如此专业的要求。
至于两者的相关原理，百度百科上就有，打两个字搜一下就可以了。我就不复制粘贴了。
热心网友
时间：2022-04-01 16:58
热心网友
时间：2022-04-01 18:49
CCD 电荷耦合器件：一种用电荷量表示信号大小，用耦合方式传输信号的探测元件，是一种新型光电转换器件，它能存储由光产生的信号电荷。当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便可在CCD内作定向传输而实现自扫描。它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。它具有光电转换、信息存贮和延时等功能，而且集成度高、功耗小，已经在摄像、信号处理和存贮3大领域中得到广泛的应用。
CMOS：
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconctor），互补金属氧化物半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带–电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
热心网友
时间：2022-04-01 20:57
CCD传感器中每一行中每一个象素的电荷数据都会依次传送到下一个象素中，由最底端部分输出，再经由传感器边缘的放大器进行放大输出；而在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。
造成这种差异的原因在于：CCD的特殊工艺可保证数据在传送时不会失真，因此各个象素的数据可汇聚至边缘再进行放大处理；而CMOS工艺的数据在传送距离较长时会产生噪声，因此，必须先放大，再整合各个象素的数据。
由于数据传送方式不同，因此CCD与CMOS传感器在效能与应用上也有诸多差异，这些差异包括：
1. 灵敏度差异：由于CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。
2. 成本差异：由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本；除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破 50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。
3. 分辨率差异：如上所述，CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂，其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平，因此，当我们比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如，目前市面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸为1/2英寸，象素尺寸为4.25μm，但Sony在2002年12月推出了ICX452，其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能高达513万象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。
4. 噪声差异：由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，CMOS传感器的噪声就会增加很多，影响图像品质。
5. 功耗差异：CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision近期推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司去年推出了1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上，虽然该公司近期将推出35mW的新产品，但仍与CMOS传感器存在差距，且仍处于样品阶段。
综上所述，CCD传感器在灵敏度、分辨率、噪声控制等方面都优于CMOS传感器，而CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以及高整合度的特点。不过，随着CCD与CMOS传感器技术的进步，两者的差异有逐渐缩小的态势，例如，CCD传感器一直在功耗上作改进，以应用于移动通信市场(这方面的代表业者为Sanyo)；CMOS传感器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足，以应用于更高端的图像产品，
