静电感应晶体管的结构分析

发布网友发布时间：2023-04-13 17:25

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热心网友时间：2023-10-09 23:13

静电感应晶体管结构分析
SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时，沟道区已全部耗尽，呈夹断状态，靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒，由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后，势垒下降，源漏电流开始流动。漏压越高,越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是：①SIT沟道区掺杂浓度低，为1012～1015厘米-3,FET则为1015～1017厘米-3；②SIT具有短沟道，在输出特性上，前者为非饱和型三极管特性，后者为饱和型五极管特性。