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发布网友 发布时间：2022-07-22 14:18

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热心网友 时间：2023-11-13 06:39

4。氮化物半导体的导电控制4.1。蓝色发现的p -型导电交界的n氮化镓GaN和实现的P -发光二极管没有成功，许多团体试图制造p型氮化镓但。随着氮化镓晶体质量控制成功的，我们就可以开始工作，在p型掺杂。使用的LT - AlN缓冲层，密度氮化镓残余捐助也大幅下降如上所述。但在上尽管一再努力锌掺杂，它不可能产生p型氮化镓。 1987年，我们发现，发光强度锌有关的大量增加时，高品质的锌掺杂的GaN层与成长的LT - AlN缓冲了电子束照射在阴极发光（CL）的测量[21]。我们认为这种现象（称为电子束的影响）[21]可能是密切相关的传导与活化锌，因此与受体PTYPE的。但晶体并没有显示p型传导。与此同时，在1988年，我们注意到，可能是受体镁锌浅比，因为它的电是]大22比锌[。 1989年，我们成功地在镁掺杂高品质氮化镓使用镁掺杂Cp2Mg或MCP2Mg作为一个同时保持AlN缓冲层技术的高品质结晶使用的LT - [23]。然后镁掺杂GaN样品进行照射用电子束在掺杂样品一样的锌。我们发现效果大大提高电子束蓝色发光这些Mgdoped氮化镓样品（部门）以及低电阻率的样品是p型氮化镓[24]。随即，我们实现了世界上第一个氮化镓的p - n结蓝/紫外发光二极管令人鼓舞的I - V特性于1989年[24]，如图所示研究。 5。我们实现了p型氮化铝镓在1991年[25]和p型GaInN在1995年[26]以相同的方式。 1992年，PTYPE的氮化镓也产生Mgdoped氮化镓铝热退火成长与缓冲层，中村等的LT - GaN的。 [27]。后来，p型氮化镓紫外得到[28]或电磁波辐射[29,30] 400集成电路在高温下。为了实现p型氮化物，就必须激活[31镁受体释放氢气，32]。但是，我们首先要大幅度降低钝化受体的剩余供氢之前解决相关的问题。

热心网友 时间：2023-11-13 06:39

4。氮化硅半导体的导电性控制
41。发现在赣江和实现电学传导
p-n 963交界处的蓝色LED
许多团体企图制造p型赣但
没有成功。成功的控制的水晶
干质量,我们可以开始工作在电学兴奋剂。
使用LT-AlN缓冲层,剩余的分布
干也大幅缩短如上所述。
但尽管在Zn-doping不懈努力,它不是
可能产生(干。1987年,我们发现
Zn-related发光强度大大增加,当
高质量的LT-AlN Zn-doped干了缓冲
用电子束辐照很cathodoluminescence期间
(CL)测量(21)。我们认为做那件事
这种现象(名叫兄效果)(21)可能是紧密相联
有关Zn-acceptors激活,因此与ptype
办理。但晶体(没有显示
办理。同时,在1988年,我们发现毫克的可能
是一个较浅,因为它比锌及其
是大于锌(22)。在1989年,我们成功了
Mg-doping使用高质量的Cp2Mg或MCP2Mg干
作为一个Mg-dopant保持较高的结晶
采用优质LT-AlN缓冲层技术[m].北京:23]。
然后诱导下镓样品
电子束的一样Zn-doped样品。
我们发现大大增加了蓝色光的Mgdoped
干样品(1750效果)以及样品
在低电阻率(24)。963[m].北京:立刻,
实现了世界上第一个干p-n结蓝色/紫外线
以鼓励电流-电压特性在1989年(24),如图所示
在图5。我们取得AlGaN(1991年(25)和p型
在1995年GaInN[26]以相同的方式。1992年,ptype
干也是Mgdoped产生的热退火
与LT-GaN 963缓冲层生长
中村李玮。[27]。后来,p型干了
(28)所获得的紫外线照射或电磁波
第二十九条、第三十条][在高温下400操练。
实现电学是必要的氮化物、活化毫克
通过释放氢气的杂质,32(31)。但是,我们应该做的
先大幅降低残余的捐赠者之前解决
问题相关的氢钝化的杂质。

热心网友 时间：2023-11-13 06:40

。氮化硅半导体的导电性控制
41。发现在赣江和实现电学传导
p-n 963交界处的蓝色LED
许多团体企图制造p型赣但
没有成功。成功的控制的水晶
干质量,我们可以开始工作在电学兴奋剂。
使用LT-AlN缓冲层,剩余的分布
干也大幅缩短如上所述。
但尽管在Zn-doping不懈努力,它不是
可能产生(干。1987年,我们发现
Zn-related发光强度大大增加,当
高质量的LT-AlN Zn-doped干了缓冲
用电子束辐照很cathodoluminescence期间
(CL)测量(21)。我们认为做那件事
这种现象(名叫兄效果)(21)可能是紧密相联
有关Zn-acceptors激活,因此与ptype
办理。但晶体(没有显示
办理。同时,在1988年,我们发现毫克的可能
是一个较浅,因为它比锌及其
是大于锌(22)。在1989年,我们成功了
Mg-doping使用高质量的Cp2Mg或MCP2Mg干
作为一个Mg-dopant保持较高的结晶
采用优质LT-AlN缓冲层技术[m].北京:23]。
然后诱导下镓样品
电子束的一样Zn-doped样品。
我们发现大大增加了蓝色光的Mgdoped
干样品(1750效果)以及样品
在低电阻率(24)。963[m].北京:立刻,
实现了世界上第一个干p-n结蓝色/紫外线
以鼓励电流-电压特性在1989年(24),如图所示
在图5。我们取得AlGaN(1991年(25)和p型
在1995年GaInN[26]以相同的方式。1992年,ptype
干也是Mgdoped产生的热退火
与LT-GaN 963缓冲层生长
中村李玮。[27]。后来,p型干了
(28)所获得的紫外线照射或电磁波

我英语没那么精湛，所以有的用了翻译器啊，错了的话也不要骂我啦~~~~~委屈的