关于设置内存时序的问题
发布网友
发布时间：2022-04-22 07:37
共1个回答
热心网友
时间：2022-06-17 21:14
详解内存时序
编辑 | 删除 | 权限设置 | 更多▼ 更多▲ 设置置顶 推荐日志 转为私密日志 发表于2010年05月14日 18:25 阅读(1) 评论(0)
分类： 菜鸟进阶 权限: 公开
tCL : CAS Latency Control(tCL)
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。
内存标签
tRCD : RAS to CAS Delay
该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
tRP : Row Precharge Timing(tRP)
该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。
tRAS : Min RAS Active Timing
该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。
DDR2—DDR3的换代交接已经基本完成
对于大多数人来说，内存这个小硬件选好容量和频率，然后插上主板用上就行了，对它的很多小参数完全不在意。所以，行业厂商也会提供比较傻瓜式的读取内存SPD芯片的参数信息，自动设置各项小参，简单好用；更有简单的超频设置——XMP技术，让普通用户也能简单地享受超频增值的乐趣。当然，真正的玩家在超频时为了达到最理想的效果，还是更倾向于手动设置各项小参。希望通过这篇文章，大家能对内存的各项参数有更深的理解，并在使用上有一定的帮助。
