DDR2和DDR3的本身区别是什么
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发布时间:2022-10-16 05:20
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热心网友
时间:2023-10-15 12:22
1.外观来看:DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同,所以不要暴力把不应该的东西乱插入,人鬼殊途会插破的......注意喔,插破就坏掉不能用了喔......。
2.速度更快:prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit,核心同时脉下资料传输量将会是DDR2的两倍。
3.更省电:DDR3 Mole电压从DDR2的1.8V降低到1.5V,同时脉下比DDR2更省电,搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能,内部增加温度senser,可依温度动态控制更新率(RASR,Partial Array Self-Refresh功能),达到省电目的(这个温度侦测是optional,不知道INTEL会不会强制干下去,如果是的话,我想记忆体的散热装置又有的炒作了)。
4.容量更大:更多的Bank数量,依照JEDEC标准,DDR2应可出到单位4Gb的容量(亦即单条模组可到8GB),但目前许多DRAM厂商的规划,DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位容量,也就是说届时单条DDR2的DRAM模组,容量最大可能只会到4GB。而DDR3模组容量将从1GB起跳,目前规划单条模组到16GB也没问题(注意:这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言,server用的FB与Registered不在此限)。
DDR3 UB DIMM 2007进入市场,成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年,我的看法是时间上是合理的。
DDR3在大容量记忆体的支援有绝对的掌握力。而大容量记忆体的分水岭是4GB这个容量,4GB是32位元作业系统的执行上限(不考虑PAE等等的记忆体映射模式,因这些32位元延伸模式只是过渡方式,会降低效能,不会在零售市场成为技术主流),当市场需求超过4GB的时候,64位元CPU与作业系统就是唯一的解决方案,现在64位元CPU与作业系统两者皆已备齐,关键就是在4GB的记忆体市场接受程度