sentaurustcad2013做了哪些更新
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发布时间：2022-10-15 10:33
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时间：2023-10-08 21:07
2010版之前的版图编辑工具比较简单，Ligment Layout Editor编辑工具仅结合Ligment工艺仿真，工具较简陋，推出IC WorkBench EV Plus 工具后，Sprocess工艺仿真就能轻松的调用每一层Mask生成复杂的器件，而不用依赖Ligment。用Sprocess可以进行一维、二维或三维工艺仿真。, `5 T4 |2 \8 f, R2 v) W0 }: j
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2.新增强大的工艺形貌仿真工具，包括淀积、刻蚀、回流、化学机械抛光、旋涂玻璃等二维、三维形貌仿真：Sentaurus Topography 3D
而光刻仿真工具TCAD Sentaurus Lithography仍然作为单独组件提供，不包含在基本组件中，Sentaurus Topography 3D可以结合光刻仿真工具Sentaurus Lithography联合仿真。
3.多层金属互联应力及可靠性分析工具直接集成在了sentaurus中，作为基本组件：Sentaurus Interconnect' I' M2 m6 @* l" b; @; n6 b- i" D
而寄生电感、电容、电阻提取工具Raphael仍然作为单独组件提供。5 A5 O/ Q, K) Q2 L M3 o D
& a" m: V- P3 n. |
4.电磁波求解组件，主要用于光电子器件中光载流子产生仿真，2010版也有此工具，但在2013版使用训练手册中增加了此组件的介绍：Sentaurus Device EMW
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$ i' ^4 V0 w# P6 Z$ c. G) [' k, X
5.更新了Sentaurus Sprocess/Device的可视化工具，你仔细看看Sentaurus Visual与tecplot、inspect有什么不同吗？呵呵，Sentaurus Visual一个工具就具备原来两个工具的功能，且功能和界面都有很大的改善。
6.讲了这么多表面的东西，那内涵的东西呢，主要更新了：4 l6 [0 V1 S- y% O0 Q
Enhanced thin layer mobility model for FinFET and Ultra-thin Body(UTB)-SOI devices；
Diffusion and activation of dopants in III-V channels of sub 10nm devices；
Support for geometric variation in variability analysis using statistical Impedance Field Method (IFM)；
Performance and robustness enhancement in 3D oxidation；
New models and calibrated model parameters for process and device simulation of SiC and GaN devices； / k6 h1 D) M/ A3 b: D& F9 }
Provision for new excitation sources in EMW simulation for Opto-electronic devices。/ I# @( U! {( l0 {
对于做功率器件的同仁来说，以上更新无足轻重，但对于进行纳米器件、宽禁带半导体器件、光电子器件等领域的开发者来说，还是值得期待的。
