过量碳和氧化硅反应,会生成SI吗,还是只生成SIC

发布网友发布时间：2022-10-12 05:57

共4个回答

热心网友时间：2023-10-19 04:10

如果过量碳和氧化硅反应，生成SiC。
因为： C少量： SiO2 + 2C =高温= Si + 2CO
C过量： SiO2 + 2C =高温= Si + 2CO Si+ C=高温= SiC
过量C的总反应： SiO2 + 3C =高温= SiC + 2CO
注：第一个高温没有第二个高温时的温度高。

热心网友时间：2023-10-19 04:11

二氧化硅结晶完美时就是水晶；二氧化硅胶化脱水后就是玛瑙；二氧化硅含水的胶体凝固后就成为蛋白石；二氧化硅晶粒小于几微米时，就组成玉髓、燧石、次生石英岩。物理性质和化学性质均十分稳定。工业上生产硅是在电弧炉中还原硅石（SiO2含量大于99%）。使用的还原剂为石油焦和木炭等。直接生成碳化硅要有更高的温度和不同的条件。

热心网友时间：2023-10-19 04:11

高温生成硅，再高温生成碳化硅,前一个是金属硅制取,产品纯度很高,碳也要求过量,所以,生成硅和碳化硅不是共生。

热心网友时间：2023-10-19 04:12

不知道什么条件，如果过量时SiC