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激光快速退火原理

发布网友 发布时间:2022-10-25 15:10

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激光快速退火原理

用激光束照射半导体表面,在照射区内产生极高的温度,使晶体的损伤得到修复,并消除位错的方法。它能有效地消除离子注入所产生的晶格缺陷,同时由于加热时间极短(约为普通热退火的百万分之一),可避免破坏集成电路的浅结电导率和其它结特性。

激光位移测试技术

激光位移测试技术是一种精确的非接触测量方法,可用于测量物体的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量。该技术通过激光发射器每秒发射一百万个激光脉冲到检测物并返回至接收器,处理器计算激光脉冲遇到检测物并返回至接收器所需的时间,以此计算出距离值。该输出值是将上千次的测量结果进行的平均输出。激光位移传感器通过激光发射器每秒发射一百万个激光脉冲到检测物并返回至接收器,处理器计算咨询技术13902964721。苏州创视智能技术有限公司是一家专业从事精密检测系统、精密测量传感器研发、生产、销售及售后的技术研发驱动型企业,创立于苏州市吴中区木渎经济开发区。公司秉承着“技术研发驱动,应用需求导向,服务客户优先”的原则,...

激光快速退火原理

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°~1200℃)保温退火10~60min。可控硅又叫晶闸管,是晶体闸流管(Thyristor)的简称,俗称可控硅,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器(Silic...

SIC激光退火技术是什么?在欧姆电阻中是如何发挥其作用的?

在SiC激光退火技术中,通过在P型源极区域上方引入保护层,利用激光退火的原理在退火过程中控制温度,使得P-N接触电阻得到优化。具体而言,激光退火前,在P型和N型源极区域形成保护层,然后同步进行激光退火。激光随深度增加而温度降低的特性使得激光直接作用于N型区域,而覆盖保护层的P型区域的实际退火温度...

dns激光退火

DNS激光退火是一种利用激光辐射对钢材进行表面处理的方法。DNS激光退火是一种新型的表面处理方法,具有操作简便、退火速度快和表面硬度高等优点,对提升钢材的品质和性能具有积极作用。可以提高钢材表面的硬度和耐腐蚀性。DNS激光退火无需加热炉和加热介质,只需通过激光辐射即可完成表面处理,非常简单易操作,...

低温多晶硅型TFT激光退火

激光退火环节至关重要,其目标是将非晶硅转化为多晶硅。在这个阶段,选择激光的特定波长至关重要。该波长需要既能被非晶硅薄膜吸收,又不会被基板的二氧化硅吸收,这样可以在低温条件下进行,同时保护玻璃基板免受损害。激光的能量被非晶硅吸收后,通过精确的热处理过程,非晶硅薄膜得以有序结晶,从而转变为...

激光退火设备是干嘛的

对材料进行退火处理。激光退火设备是利用激光对材料进行退火处理的加工方法,应用学科机械工程,是把整个工件放在真空炉中。激光退火设备开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,退火是一种金属热处理工艺,指的是将金属缓慢加热到一定温度,保持足够时间,以适宜速度冷却。

航空件激光退火

航空件激光退火是通过采用CO2激光技术,实现针对镍基合金GH738材料产品进行局部的退火加工,保证产品其余结构的强度要求.现阶段国内主要的局部退火工艺多采用感应线圈加热,加工质量无法满足产品的一些特殊要求,在保证产品加工质量的同时,提高了生产效率.文章简单介绍了激光和激光器的一些特点,目前CO2激光器是用...

准分子激光退火前氢含量

在准分子激光退火前,半导体材料中的氢含量通常较低,因为氢在半导体材料中的溶解度相对较低。准分子激光退火可以通过加热半导体材料来激活氢原子,使其更容易扩散到半导体材料中。激光退火还可以通过控制激光脉冲的参数,如波长、能量、脉冲宽度等,来调节半导体材料中的氢含量。所以准分子激光退火前氢含量会...

薄膜砷化镓太阳电池退火

1、热退火:热退火是将电池样品放入高温炉中进行加热处理,通常温度范围为500到900摄氏度。2、光照退火:是在退火过程中施加光照,通常使用氙灯或激光器,光照退火可以通过光生载流子的注入和退火温度的升高来改善材料的晶格质量和光电特性。3、激光退火:是使用激光束对电池样品进行加热处理,激光退火具有...

红外激光退火

你好,你是想问红外激光退火是什么吗?红外激光退火技术是半导体加工的一种工艺,效果比常规热处理退火好得多。激光退火后,杂质的替位率可达到98%-99%,可使多晶硅的电阻率降低40%-50%,可大大提高集成电路的集成度,使电路元件间的间而减小到0.5km。

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