发布网友 发布时间:2022-06-29 18:00
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热心网友 时间:2023-10-12 22:25
因为二极管的管压降在通入大电流的时候功耗太大,比如二极管压降为0.7v,输出电流为10A的时候,二极管自身损耗高达7W,基本不用考虑。在低电流应用场合,由于二极管比mosfet便宜,电路更简单,会使用二极管,在大电流输出场合,一般利用MOSFET来降低电路自身损耗,不过在控制上要防止Q1和Q2同时导通造成输入电源短路而烧毁电路,所以一般要确定足够的死区时间来避免这种情况。热心网友 时间:2023-10-12 22:26
常规电路Q2位置采用的是续流二极管,二极管导通时有一定的压降,且导通电流的大范围变化情况下导通压降变化却不大,这会产生一定的功耗,尤其在输出电压较低及轻载(输出电流较小)时导致电源变换效率较低。MOSFET导通时,漏源之间存在的是导通电阻Ron,用Ron较小的MOSFET代替续流二极管,能够有效地较低续流管功耗,且其导通压降基本与导通电流成正比,轻载时功耗也低。热心网友 时间:2023-10-12 22:26
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。