发布网友 发布时间:2022-03-31 11:58
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懂视网 时间:2022-03-31 16:19
静态存储器和动态存储器的区别是:
静态RAM(SRAM)速度非常快,只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位,因此集成度相对较低,功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。动态RAM(DRAM)的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失,因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成,因此它的集成度高,成本较低,另外耗电也少,但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢,SRAM比DRAM要快2到5倍,一般,PC机的标准存储器都采用DRAM组成。
静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每个 双稳态电路存储一位 二进制代码0或1,一块 存储芯片上包含许多个这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件,需要电源才能工作,只要电源正常,就能长期稳定的保存信息,所以称为静态存储器。如果断电,信息将会丢失,属于挥发性存储器,或称易失性。
静态存储器在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间,此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如,日历、短信息和电话簿 (或通讯录) 可能会共享移动设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种,差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据则不需要刷新过程,在上电期间,数据不会丢失。
热心网友 时间:2022-03-31 13:27
静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表: 静态和动态存储器芯片特性比较 SRAM DRAM 存储信息 触发器 电容 破坏性读出 非 是 需要刷新 不要 需要 送行列地址 同时送 分两次送 运行速度 快 慢 集成度 低 高 发热量 大 小