发布网友 发布时间:2022-06-21 22:27
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热心网友 时间:2024-03-21 22:26
最显著的差异,Hugh Wang 的回答已经提到了。具体来说:NMOS 传输高电平有阈值损(Vtn),低电平则没有;PMOS 传输低电平有阈值损(Vtp),高电平则没有。CMOS 互补结构则利用了上述“互补”特性,传输高低电平时都没有阈值损。 另外还有一点,NMOS 或 PMOS 单管在传输电平信号的过程中,导通电流的变化都是非线性的。 举例来说,在传输一个高电平时:PMOS 的导通电流随输出电平增高的曲线,呈现一个上凸形——也即当输出电平不断增大时,PMOS 的导通电流变化呈现出“先缓慢、后急剧”的下降;NMOS 的导通电流变化则反过来,呈现“先急剧、后缓慢”的下凹形。 在传输低电平时,上述变化则相对都“反过来”。而两者的“和”,则基本是线性的。因此,CMOS 互补结构的另一个特点就是:利用两管导通电流的“互补”特性,使得导通电流特性呈“高线性”。