请问VMOS场效应管的衬底外延层为什么采用的是低掺杂?

发布网友发布时间：2022-09-19 06:45

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热心网友时间：2023-10-26 03:55

因为杂质散射会降低载流子迁移率，而MOS管导通时，载流子在衬底顶部、栅氧层下面的反型层中运动，所以需要低掺杂。”源极引线要引入两个层"：1. 如果你指的是源区或漏区向沟道延伸出的、在栅极下面的低掺杂区(Halo)，它们把PN结变为P+ / P / N或N+ / N / P结构，这样可以减小耗尽层中的峰值电场强度，从而减少进入栅氧层的热载流子，增加栅极氧化层的寿命。此外，这还可以减小源和漏PN结的宽度，降低段沟道效应。2. 如果你指的是源漏区的金属硅化物(Silicide)，那是为了减小源或漏区的体电阻，这在深亚微米器件中比较重要。

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