为什么人体会产生静电
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发布时间：2022-04-23 01:14
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热心网友
时间：2023-10-09 21:02
静电现象(图2)任何物质都是由原子组合而成，而原子的基本结构为质子、中子及电子。科学家们将质子定义为正电，中子不带电，电子带负电。在正常状况下，一个原子的质子数与电子数量相同，正负电平衡，所以对外表现出不带电的现象。但是由于外界作用如摩擦或以各种能量如动能、位能、热能、化学能等的形式作用会使原子的正负电不平衡。在日常生活中所说的摩擦实质上就是一种不断接触与分离的过程。有些情况下不摩擦也能产生静电，如感应静电起电，热电和压电起电、亥姆霍兹层、喷射起电等。任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的普遍方法，就是摩擦生电。材料的绝缘性越好，越容易产生静电。因为空气也是由原子组合而成，所以可以这么说，在人们生活的任何时间、任何地点都有可能产生静电。要完全消除静电几乎不可能，但可以采取一些措施控制静电使其不产生危害。
通过摩擦引起电荷的重新分布而形成的，也有由于电荷的相互吸引引起电荷的重新分布形成，具体说就是因为物质都由原子组成，原子中有带负电的电子和带正电荷的原子核。一般情况下原子核的正电荷与电子的负电荷相等，正负平衡，所以不显电性。 但是如果电子受外力而脱离轨道，造成不平衡电子分布，比如实质上摩擦起电就是一种造成正负电荷不平衡的过程。当两个不同的物体相互接触并且相互摩擦时，一个物体的电子转移到另一个物体，就因为缺少电子而带正电，而另一个体得到一些剩余电子的物体而带负电，物体带上了静电。
热心网友
时间：2023-10-09 21:02
1、静电：不是静止不动的电，而是在空间缓慢移动的电荷，是一种相对稳定电荷。
2、起电方式：工业用电、电磁感应产生、因摩擦、接触、分离而起电。
3、能量：最大一般不超过45焦尔/米3，在电磁空间积蓄的能量密度，却很容易达到106焦尔/米3，二者相差105倍。
4、电位：静电电位可高达几千几万伏，电流却很小（10-9A）毫微安。
5、欧姆定律：R=V/I ，然而静电释放电路很难适用此定律。
6、静电的产生：物质是由原子组合而成的，而原子基本结构为质子、中子及电子。质子与中子质量较高，结合力强，不易分离，紧密地形成原子核，而电子质量小，环绕原子核外，在正常情况下，质子数与电子数相等，质子带正电，电子带负电，称不带电电中性。当受到某种外力、摩擦、光电作用或各种能量（动能、位能、热能、化学能等）的作用，使围绕原子核周围的电子脱离轨道，破坏了原子电中性状态，使原子的正负电失衡，电子逃逸于某一介面，如遇低电位介面，产生放电现象而产生。
7、机理：接触一电荷转移，当两种物体接触面距达到埃级时（10-8cm），就发生电荷转移，在界面形成“双层电”，而“双层电”的厚薄大小是随材料电阻率大小而异，当固体分开时带走电荷，摩擦双方各自带上极性相反的电荷。
8、耐热性树脂应用：无铅焊锡的应用，因它的熔点高，存在着封装材料的耐热性要求提高而产生，就低温无铅焊锡为+220℃。
9、静电的分类：
（1）按起电的方式分：接触摩擦分离起电、静电感应起电、电磁感应起电、射线电离空气起电、物质三态变化起电、分子*起电、极化起电、场致发射起电。
（2）按带电体分类：固体带电、液体带电、气体带电、粉体带电、人体带电、生物带电。
（3）按电荷性质分类：单极性电荷、双极性电荷、正电荷、负电荷。
10、静电的危害：
（1）半导体和IC生产线上的静电，人穿尼龙衣、塑胶底鞋在地板上走动，人身会带7-8KV电压。
（2）玻璃纤维制成的晶体载料盒滑过聚丙烯桌面易产生10KV电。
（3）晶片装配线，晶片5KV，晶片装料盒35KV，工作服10KV，桌面10KV，有机玻璃盖8KV，石英晶体1.5KV,晶片托盘6KV。
（4）光刻间塑料地面500V-1000V，金属网格地面也是500V-1000V，扩散间塑料地面、瓷砖地面500V-1500V，塑料墙约700V，塑料顶棚0-1000V，铝板送风口、回风口500V-1000V，金属活动皮革椅面500V-3000V。
（5）半导体和IC生产线上的静电危害
A、静电库仑力的危害：静电库仑力作用下，吸附的粉尘、污物，可能给元器件，造成短路或增大泄露，使性能受损，成品率大大下降，如粉尘粒径>100微米，铝线宽度约100微米，薄膜厚度在50微米以下时，最易使产品报废，这种情形多发生在腐蚀清洗、光刻、点焊和封装工艺中。
B、静电放电引起的危害，如有数千、数万伏的高电位物体产生脉冲刷形放电火花放电时，瞬时会有很高的放电电流流过。若人体带上10KV的电荷，其放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20A，造成可观的影响，其放电电流流向大地时，形成脉冲状的电流峰位在20A，造成可观的影响，静电放电现象（ESD），还伴随电磁波发射，会引起种种危害。
C、 MOSIC等半导体器件将被ESD击穿或半击穿。
MOS场效应管其栅极是从氧化膜引出，栅极与衬底间是隔着一层氧化膜，当栅极与衬底间的电压超过一定值时，氧化膜被击穿，如果MOSIC则全部报废了。当施加电压大于UB=50-100V氧化膜便会被击穿，因为栅极电容很小（约几个微微法），输入阻抗很高（约1014Ω以上），这样少量的电荷就会产生高压，电荷也很难泄漏，只要大于50V（无保护），就会烧毁，所以只要人手一摸，栅极元件就坏，因为人体带电超过50V是平常事。
