发布网友 发布时间:2022-09-16 06:33
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热心网友 时间:2023-10-12 10:34
这是小尺寸场效应晶体管(FET)中所出现的一种不良现象,即是当沟道长度减小、电压Vds增加、使得漏结与源结的耗尽层靠近时,沟道中的电力线可以从漏区穿越到源区,并导致源极端势垒高度降低,从而源区注入到沟道的电子数量增加,结果漏极电流增加。沟道长度越短,DIBL效应就越严重。
实际上,DIBL效应往往与沟道长度调制效应同时发生,因为这些效应都是小尺寸场效应晶体管中容易出现的问题。