用作高速缓存的存储器一般是

发布网友发布时间：2022-03-17 23:04

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懂视网时间：2022-03-18 03:26

SRAM类型的存储器主要用作缓存存储器。SRAM即静态随机存取存储器，它是随机存取存储器的一种。

　　谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

　　SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

　　SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM (Synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM，流水式突发SRAM），还有INTEL没有公布细节的CSRAM等。

热心网友时间：2022-03-18 00:34

SRAM。

静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。

然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

SRAM主要用于二级高速缓存（Level2 Cache)。它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM 之间的缓存（cache）.SRAM也有许多种。

扩展资料：

SRAM的问题：

1、采用FinFET晶体管的最新CMOS技术，单元尺寸的效率越来越低。

平面到FinFET的转变对SRAM单元的布局效率具有显着影响。使用FinFET的临界间距逐渐缩小导致SRAM单元尺寸减小迅速减慢。考虑到对更大的片上SRAM容量的不断增长的需求，这种情况的时机不会更糟。距离SRAM将占据DSA处理器大小的情况并不遥远。

2、从正电源通过SRAM单元流到地的漏电流。

其中很大一部分原因是亚阈值晶体管泄漏呈指数级温度激活，这意味着随着芯片变热，它会急剧增加。这导致能量浪费，因为它没有任何有用的工作。虽然通常称为静态功耗，但这种泄漏也会在SRAM处于有效使用状态时发生，并形成浪费能量的下限。

参考资料来源：百度百科-SRAM